Fotodiodo QPD YAG-444-4
a quadrantia infrarossiin silicio

Fotodiodo QPD - YAG-444-4 - Excelitas Technologies - PCO - a quadranti / a infrarossi / in silicio
Fotodiodo QPD - YAG-444-4 - Excelitas Technologies - PCO - a quadranti / a infrarossi / in silicio
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Caratteristiche

Specificazioni
QPD, a quadranti, a infrarossi, in silicio, sensibile alle lunghezze d'onda
Montaggio
PIN

Descrizione

Panoramica del prodotto
La serie YAG-444-4 comprende fotodiodi a quadrante in silicio PIN in package TO ermetici, progettati per il rilevamento di posizione e applicazioni a 1064 nm. Disponibili in configurazioni di tipo N e P, i dispositivi dispongono di un anello di guardia che raccoglie la corrente esterna all'area attiva e di un ampio diametro attivo per misurazioni di posizione su fasci focalizzati o defocalizzati in modalità impulsiva o continua.

Caratteristiche principali
  • Elevata efficienza quantica a 1064 nm
  • Diafonia <1% tra gli elementi
  • Assenza di zone morte tra i quadranti (tipo P)
  • Package ermetico TO-can (TO-36 personalizzato)
  • Disponibile in N e P, opcionalmente con riscaldatore (-H) e rivestimento antiriflesso (-AR / -ARH)

Immagini rappresentative
Immagini del prodotto e grafici di responsività spettrale disponibili nella pagina prodotto.

Specifiche tecniche
  • Numero di elementi: 4
  • Diametro attivo (mm): 11,3
  • Area attiva per elemento (mm²): 25
  • Capacitanza tipica per quadrante (pF): 12
  • Responsività tipica a 900 nm (A/W): 0,60
  • Responsività tipica a 1064 nm (A/W): 0,44
  • Responsività tipica a 1064 nm per suffissi -AR e -ARH (A/W): 0,47
  • Tempo di salita tipico, carico 50Ω (ns): 12
  • Tensione massima di esercizio (V): 180
  • Tensione minima di rottura (V): 200
  • Capacitanza tipica per elemento (pF): 9
  • Capacitanza massima per elemento (pF): 15
  • Corrente dark tipica per elemento (nA): 30
  • Corrente dark massima per elemento (nA): 100
  • Corrente di rumore tipica per elemento (pA/√Hz): 0,20
  • NEP a 900 nm per elemento (pW/√Hz): 0,25
  • NEP a 1064 nm per elemento (pW/√Hz): 0,30
  • Resistenza riscaldatore a 25°C (suffisso -H) (kΩ): 10 ± 2
  • Potenza di picco riscaldatore (suffisso -H) (W): 16,1
  • Tensione DC massima riscaldatore (suffisso -H) (V): 24
  • Package: TO-36 personalizzato
  • Intervallo temperatura di stoccaggio (°C): -55 a 125
  • Intervallo temperatura di funzionamento (°C): -55 a 125
  • Intervallo temperatura di funzionamento per suffisso -H (°C): -40 a 85
  • Tensione massima riscaldatore (V): 12

Cataloghi

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 nov 2026 Munich (Germania) Hall B4 - Stand 302

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