Fotodiodo a quadranti C30927EH-03

in siliciosensibile alle lunghezze d'ondaQPD

Descrizione del prodotto
Il fotodiodo a valanga in silicio a quattro quadranti C30927EH-03 presenta una struttura double-diffused di tipo "reach-through" con diametro utile di 1,55 mm. Il design a quadranti adotta una giunzione di valanga comune e separa i quadranti segmentando la superficie p+ di ingresso della luce opposta alla giunzione, eliminando gli spazi morti tra gli elementi e preservando la risposta sull'asse. Il dispositivo è ottimizzato per funzionamento a 800 nm e offre elevata responsività e prestazioni rapide se impiegato entro ±50 nm dalla lunghezza d'onda nominale.

Caratteristiche principali

• Angolo pieno per superficie fotosensibile totalmente illuminata maggiore di 90°
• Alta efficienza quantica ottimizzata per 800 nm
• Risposta temporale rapida (salita/discesa tipica: 3 ns)
• Ampia area attiva: 1,77 mm²
• Package TO-8 a basso profilo, ermeticamente sigillato

Applicazioni

• Tracciamento
• Allineamento
• Identificazione amico o nemico

Caratteristiche tecniche / specifiche

• Intervallo tensione di breakdown (V): 350 a 485
• Tensione di breakdown tipica (V): 425
• Guadagno tipico (M): 100
• Coefficiente di temperatura tipico per guadagno costante (V/°C): 2,4
• Responsività minima a 800 nm (A/W): 45
• Responsività tipica a 800 nm (A/W): 55
• Corrente di buio totale tipica (nA): 100
• Corrente di buio totale massima (nA): 200
• Corrente di rumore tipica per elemento (pA/√Hz): 1,0
• Corrente di rumore massima per elemento (pA/√Hz): 1,5
• Capacitanza totale tipica di tutti i quadranti (pF): 3
• Capacitanza totale massima di tutti i quadranti (pF): 5
• Resistenza di serie massima (Ω): 15
• Tempo di salita e discesa tipico (ns): 3
• Temperatura di immagazzinamento (°C): -60 a 120
• Temperatura di esercizio (°C): -40 a 60