Fotodiodo in silicio VTB8441H

a infrarossiUVsensibile alle lunghezze d'onda

Panoramica del prodotto
Il VTB8441H è un fotodiodo al silicio con sensibilità potenziata nel blu, montato in un package ceramico incassato da 8 mm e protetto da uno strato di resina epossidica trasparente. Offre una risposta migliorata nella gamma spettrale blu, elevata resistenza di shunt e basso currente di buio. Il dispositivo ha un'area attiva di 5,16 mm² e una risposta spettrale da 320 nm a 1100 nm. Progettato come fotodiodo planare P-on-N, è ottimizzato per la luce visibile ed è destinato principalmente al funzionamento in modalità fotovoltaica, con la possibilità di un piccolo polarizzazione inversa. L'elevata resistenza di shunt riduce gli offset nei circuiti transimpedenza ad alto guadagno.

Caratteristiche e vantaggi

• Gamma spettrale UV fino al vicino IR
• Linearità 1 %–2 % su 7 a 9 decadi
• Molto basso currente di buio
• Molto elevata resistenza di shunt
• Conforme RoHS

Applicazioni

• Rilevamento UV e luce blu
• Luxmetri
• Monitoraggio fiamme
• Fotometria

Specifiche tecniche

• Area attiva = 5,16 mm²
• Gamma spettrale = 320 nm a 1100 nm
• Risposta spettrale di picco = 920 nm
• Sensibilità al picco = Tip. 0,5 A/W
• Corrente di cortocircuito = Minimo 35 µA a 100 fc, 2850 K
• Corrente di buio = Massimo 100 pA a 2 V di polarizzazione inversa
• Capacità di giunzione = Tip. 1,0 nF a 0 V
• Risposta angolare = ±50° al 50 % di risposta
• Package = package ceramico incassato 8 mm con protezione epoxi trasparente
• Costruzione = fotodiodo planare P-on-N in silicio, rivestimento potenziato per il blu, elevata resistenza di shunt, basso currente di buio