Fotodiodo sensibile alle lunghezze d'onda C30642GH-LC
LIDARInGaAsa infrarossi

Fotodiodo sensibile alle lunghezze d'onda - C30642GH-LC - Excelitas Technologies - PCO - LIDAR / InGaAs / a infrarossi
Fotodiodo sensibile alle lunghezze d'onda - C30642GH-LC - Excelitas Technologies - PCO - LIDAR / InGaAs / a infrarossi
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Caratteristiche

Specificazioni
sensibile alle lunghezze d'onda, LIDAR, InGaAs, a infrarossi
Montaggio
PIN

Descrizione

Descrizione
Il C30642GH-LC è un fotodiodo PIN InGaAs a grande area con diametro attivo 2,0 mm montato in un package TO-5 con finestra in vetro piatto. Offre elevata efficienza quantica nell'intervallo 800–1700 nm, capacità ultra-bassa (circa il 50% dei tipi standard) che fornisce approssimativamente il doppio della banda a 3 dB, alta responsività, elevata resistenza di shunt e bassa corrente di buio. I dispositivi tipici mostrano meno dell'1% di non linearità e uniformità entro il 2% sull'area attiva, rendendoli adatti per misure ottiche di precisione e applicazioni ad alta velocità.

Caratteristiche e vantaggi
  • Capacità ultra-bassa per maggiore banda
  • Alta responsività a 1300 nm e 1550 nm
  • Area attiva ampia: diametro 2,0 mm
  • Elevata linearità su ampia gamma dinamica
  • Disponibile in package TO-5 robusti con finestra in vetro piatto
  • Opzioni di personalizzazione disponibili (es. TEC integrato)
  • Conforme RoHS


Applicazioni
  • Misuratori e sensori di potenza ottica
  • Strumentazione di prova e misura per fibra ottica
  • Spectroscopia nel vicino infrarosso (NIR)
  • Stazioni di profilazione del fascio laser
  • Strumentazione di laboratorio e industriale
  • Ricevitori LiDAR e sistemi di rilevamento ottico


Specifiche (responsività tipica)
  • 0.20 A/W a 850 nm
  • 0.90 A/W a 1300 nm
  • 1.05 A/W a 1550 nm


Specifiche tecniche
  • Modello: C30642GH-LC
  • Materiale del rivelatore: InGaAs PIN
  • Diametro area attiva: 2,0 mm
  • Package: TO-5 con finestra in vetro piatto
  • Risposta spettrale / intervallo ad alta efficienza quantica: 800 nm a 1700 nm
  • Responsività (tipica): 0.20 A/W @ 850 nm; 0.90 A/W @ 1300 nm; 1.05 A/W @ 1550 nm
  • Capacità ultra-bassa (~50% del tipo standard), risultando in circa 2× banda a 3 dB rispetto al tipo standard
  • Alta resistenza di shunt
  • Bassa corrente di buio
  • Linearità: dispositivi tipici con meno dell'1% di non linearità sull'area attiva
  • Uniformità: entro il 2% sull'area attiva
  • Personalizzazioni disponibili: es. opzioni TEC integrate
  • Conformità: conforme RoHS

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