Fotodiodo sensibile alle lunghezze d'onda VTB8441BH

in silicio

Sommario del prodotto
Il VTB8441BH è un fotodiodo in silicio con miglioramento per il blu, montato in un package ceramico incassato da 8 mm e protetto da uno strato di resina epossidica trasparente. Il filtro IR integrato limita la risposta alla porzione visibile dello spettro. Il dispositivo offre elevata resistenza di shunt e bassa corrente di dark, ottimizzato per misure ottiche di precisione in applicazioni industriali.

Dettagli
Il VTB8441BH fornisce un'area attiva di 5,16 mm² ed è principalmente destinato all'uso in modalità fotovoltaica, pur potendo essere utilizzato con un piccolo polarizzazione inversa. L'elevata resistenza di shunt riduce gli offset nei circuiti amplificatori transimpedenza ad alto guadagno, migliorando la precisione in condizioni di bassa illuminazione e ampia gamma dinamica.

Caratteristiche e vantaggi

• Gamma spettrale visibile (reiezione IR)
• Linearità 1%–2% su 7 a 9 decadi
• Corrente di dark molto bassa per prestazioni in condizioni di bassa luce
• Molto alta resistenza di shunt per ridurre gli offset nei circuiti TIA
• Conforme RoHS

Applicazioni

• Rilevamento e controllo della luce ambientale
• Luxmetri e fotometria di precisione
• Monitoraggio di fiamme e combustione
• Sensori ottici e strumentazione industriale

Caratteristiche / Specifiche tecniche

• Area attiva = 5,16 mm²
• Corrente di cortocircuito = Min. 4 µA a 100 fc, 2850 K
• Corrente di dark = Max. 100 pA a 2 V polarizzazione inversa
• Capacitanza di giunzione = Tip. 1,0 nF a 0 V
• Gamma spettrale = 330 nm a 720 nm
• Risposta spettrale di picco = 580 nm
• Sensibilità a lunghezza d'onda di picco = Tip. 0,29 A/W
• Risposta angolare = ±50° al 50% della risposta