Descrizione del prodottoIl C30618L-350 è un fotodiodo PIN InGaAs ad alta velocità con un chip di diametro attivo 350 µm in un package SMD ceramico con finestra. Fornisce elevata efficienza quantica nella gamma 960 nm–1700 nm, bassa capacità per estendere la banda passante e alta resistenza di shunt per sensibilità, linearità e uniformità entro il 2% sull'area attiva.
Applicazioni- Prodotti optoelettronici consumer ad alto volume
- Ricevitori per telecomunicazioni
- Strumentazione e apparecchiature di prova
- Interruttori ottici ad alta velocità
- Riferimento temporale ottico per telemetri laser
- Sistemi LiDAR
Caratteristiche e vantaggi- Elevata larghezza di banda fino a 3,5 GHz
- Alta responsività a 1300 nm e 1550 nm
- Diametro dell'area attiva: 350 µm
- Bassa capacità (Tip. 4,0 pF)
- Package SMD ceramico compatto con finestra
- Possibilità di personalizzazione (es. filtri ottici)
- Conforme RoHS
Specifiche tecniche- Tensione di rottura: 60 V
- Tensione di funzionamento: 5 V
- Capacitanza: Tip. 4,0 pF
- Corrente di buio: Tip. <1,0 nA
- Rumore di buio: Tip. <0,08 pA/√Hz
- Package: SMD ceramico con finestra
- Diametro attivo: 350 µm
- Efficienza quantica / gamma spettrale: QE elevata da 960 nm a 1700 nm
- Responsività: Tip. 1,05 A/W @ 1550 nm
- Elevata responsività a 1300 nm e 1550 nm
- Tempo di salita/discesa: Tip. 0,5 ns
- Elevata larghezza di banda fino a 3,5 GHz
- Alta resistenza di shunt per sensibilità, linearità e uniformità entro il 2% sull'area attiva