Fotodiodo sensibile alle lunghezze d'onda C30737LH-500-80N

in silicioa valangaa infrarossi

Descrizione: Il C30737LH-500-80N è un fotodiodo a valanga in silicio (Si APD) con diametro attivo di 500 µm e risposta potenziata attorno a 800 nm. Fornito in contenitore ceramico senza terminali (LCC), è progettato per rivelazione rapida e elevata responsività dal visibile al vicino infrarosso.

Caratteristiche principali:

• Alta responsività tra 500 nm e 1000 nm
• Basso rumore e tempi di salita estremamente rapidi; risposta in frequenza oltre 1,3 GHz
• Diametro attivo 500 µm, ottimizzato per picco di sensibilità a 800 nm
• Opzione contenitore ceramico senza terminali ("LH") per compatibilità SMD compatta

Applicazioni:

• Sistemi LiDAR
• Rilevamento di distanza laser
• Scanner e strumentazione per sicurezza
• Applicazioni con vincoli di costo che richiedono un rivelatore ad alte prestazioni

Specifiche tecniche:

• Diametro attivo: 500 µm
• Lunghezza d'onda di massima sensibilità: 800 nm
• Tensione di breakdown Vbd: 120–210 V (binning disponibile)
• Coefficiente di temperatura di Vop per M costante: 0,5 V/°C
• Guadagno: 100 a 800 nm
• Responsività: 50 A/W a 800 nm
• Corrente di buio Id: 0,1–1 nA
• Corrente di rumore: 0,1 pA/√Hz
• Capacitanza: 2 pF
• Tempo di salita/discesa: 0,3 ns (R carico = 50 Ω)
• Frequenza di taglio: 1,3 GHz
• Temperatura di stoccaggio: -50 °C a +100 °C
• Temperatura di funzionamento: -40 °C a +85 °C
• Package: finestra in vetro 3 x 3 mm, contenitore ceramico senza terminali (LCC)
• Finestra: standard