Fotodiodo a infrarossi YAG-444

in siliciosensibile alle lunghezze d'ondaPIN

Panoramica La serie YAG di Excelitas Technologies comprende rivelatori Si PIN ad alte prestazioni, disponibili nelle versioni N o P, forniti in involucri TO ermetici. L'ampia area attiva e l'anello di guardia li rendono idonei sia per il rilevamento di posizione sia per la misura di potenza in applicazioni laser industriali e di laboratorio.

Prestazioni Questi fotodiodi garantiscono una responsività stabile nell'intervallo di lunghezze d'onda da 400 nm a 1100 nm, con risposta IR potenziata ottimizzata per la rilevazione a 1064 nm. L'anello di guardia raccoglie la corrente generata al di fuori dell'area attiva evitando che aumenti il rumore. Il grande diametro attivo di 11.3 mm consente di ottenere informazioni di posizione sia da spot focalizzati che defocalizzati in modalità impulsata e CW.

Caratteristiche principali e vantaggi

• Elevata efficienza quantica a 1064 nm
• Stile di pacchetto: contenitore TO ermetico
• Disponibile in configurazioni N-type e P-type
• Diametro attivo: 11.3 mm (area attiva 100 mm²)

Specifiche tecniche

• Diametro attivo (mm): 11.3
• Area attiva (mm²): 100
• Capacitance tipica (pF): 35
• Responsività tipica a 900 nm (A/W): 0.60
• Responsività tipica a 1064 nm (A/W): 0.44
• Responsività tipica a 1064 nm suffisso -AR (A/W): 0.47
• Tempo di salita tipico, carico 50Ω (ns): 12
• Tensione massima di esercizio (V): 180
• Tensione minima di breakdown (V): 200
• Corrente di buio tipica (nA): 80
• Corrente di buio massima (nA): 200
• Corrente di rumore tipica (pA/√Hz): 0.16
• NEP a 1064 nm (pW/√Hz): 0.23
• Pacchetto: TO-36 personalizzato
• Intervallo temperatura di stoccaggio (℃): -55 a 125
• Intervallo temperatura di esercizio (℃): -55 a 125