Fotodiodo in silicio C30737PH-230-80N

LIDARa valanga

Panoramica Il fotodiodo a valanga al silicio (Si APD) C30737PH-230-80N offre un diametro attivo di 230 µm e una risposta potenziata a 800 nm in un contenitore a foro passante in plastica T 1¾. Caratteristiche principali

• Elevata sensibilità tra 500 e 1000 nm
• Basso rumore e tempo di salita estremamente rapido a tutte le lunghezze d’onda con una risposta in frequenza superiore a 1,5 GHz
• Diametro attivo di 230 μm e ottimizzato per una sensibilità di picco a 800 nm
• Opzione in plastica T1¾ "PH"

Applicazioni

• LiDAR
• Telemetria laser
• Scansione di sicurezza
• Applicazioni che richiedono un rilevatore a basso costo e ad alte prestazioni

Specifiche (tabella) Diametro attivo: 230 μm Lunghezza d’onda di sensibilità di picco: 800 nm Tensione di rottura Vbd: 120-210 (disponibile in binning) Coefficiente di temperatura di Vop per M costante: 0,5 V/°C Guadagno: 100 a 800 nm Responsività: 50 A/W a 800 nm Corrente oscura Id: 0,05 <0,5 nA Corrente di rumore: 0,1 pA/√Hz Capacità: 1 pF Tempo di salita/discesa: 0,2 ns con carico R = 50 Ω Frequenza di taglio: 1,5 GHz Temperatura di stoccaggio: da -50 °C a +100 °C Temperatura di funzionamento: da -40 °C a +85 °C Confezione: plastica T 1-3/4 a foro passante caratteristiche / specifiche tecniche

• Diametro attivo: 230 μm
• Lunghezza d’onda di sensibilità di picco: 800 nm
• Tensione di rottura Vbd: 120-210 (disponibile in binning)
• Coefficiente di temperatura di Vop per M costante: 0,5 V/°C
• Guadagno: 100 a 800 nm
• Responsività: 50 A/W a 800 nm
• Corrente di buio Id: 0,05 <0,5 nA
• Corrente di rumore: 0,1 pA/√Hz
• Capacità: 1 pF
• Tempo di salita/discesa: 0,2 ns (carico R = 50 Ω)
• Frequenza di taglio: 1,5 GHz
• Temperatura di stoccaggio: da -50 °C a +100 °C
• Temperatura di funzionamento: da -40 °C a +85 °C
• Confezione: plastica T 1-3/4 a foro passante