Fotodiodo a infrarossi C30737LH-300-70N

sensibile alle lunghezze d'ondain silicioa valanga

Descrizione del prodotto:
Il C30737LH-300-70N è un fotodiodo a valanga in silicio (Si APD) con diametro attivo di 300 µm e sensibilità migliorata intorno a 800 nm, disponibile in package ceramico senza piedini (LCC). Progettato per il rilevamento ottico veloce con ampia responsività spettrale e basso rumore, è adatto per telemetria laser e sensori ottici di precisione.

Caratteristiche principali:

• Alta responsività da 500 nm a 1000 nm, picco a 800 nm
• Basso rumore e tempo di salita molto rapido; risposta in frequenza oltre 700 MHz
• Diametro attivo 300 µm ottimizzato per 800 nm
• Opzione package ceramico senza piedini LH (LCC)

Applicazioni:

• Telemetria laser e misuratori di distanza
• Scanner di area e sistemi di sicurezza
• Moduli rivelatori ottici ad alte prestazioni e costo contenuto

Specifiche tecniche:

• Diametro attivo: 300 µm
• Lunghezza d'onda di sensibilità massima: 800 nm
• Tensione di breakdown (Vbd): 110–165 V
• Coefficiente di temperatura di Vop per M costante: 0,6 V/°C
• Gain: 100 @ 800 nm
• Responsività: 55 A/W a 800 nm
• Corrente di buio: 1 nA
• Corrente di rumore: 0,2 pA/√Hz
• Capacità: 0,7 pF
• Frequenza di cutoff: 700 MHz
• Temperatura di stoccaggio: -40°C a +100°C
• Temperatura operativa: -20°C a +60°C
• Package: portatore ceramico senza piedini (LCC) 3×3 mm con finestra in vetro
• Finestra: finestra standard