Descrizione del prodotto:Il fotodiodo a valanga in silicio C30737CH-300-70 (Si APD) offre un diametro attivo di 300 μm con risposta ottimizzata a 800 nm in un supporto laminato senza terminali orientato lateralmente (LCC), adatto ad assemblaggi di rilevatori compatti.
Caratteristiche principali:- Alta responsività tra 500 e 1000 nm
- Basso rumore e tempo di salita estremamente rapido a tutte le lunghezze d'onda con risposta in frequenza oltre 700 MHz
- Diametro attivo di 300 μm, ottimizzato per 800 nm
- Supporto laminato senza terminali con opzione "CH"
Applicazioni:- Telemetria laser
- Misuratori di distanza
- Scansione di aree e sistemi di sicurezza
- Applicazioni che richiedono un rilevatore ad alte prestazioni e basso costo
Specifiche tecniche:- Diametro attivo: 300 μm
- Lunghezza d'onda di sensibilità massima: 800 nm
- Tensione di breakdown Vbd: 110-160 V
- Guadagno: 100 @ 800 nm
- Responsività: 35 A/W a 635 nm
- Corrente di buio: 1 nA
- Corrente di rumore: 0,2 pA/√Hz
- Capacitanza: 0,7 pF
- Frequenza di taglio: 700 MHz
- Temperatura di stoccaggio: -20°C a +70°C
- Temperatura operativa: -10°C a +50°C
- Package: 2x4 mm FR4 epossidico, supporto laminato senza terminali orientato lateralmente