Modulo fotodiodo a valanga (APD) C30659-1060-R8BH

Panoramica del prodotto
La serie C30659 di ricevitori ottici APD ibridi integra un fotodiodo a valanga in silicio (Si) e un preamplificatore ibrido in un involucro TO-8 ermeticamente sigillato per funzionamento a rumore ultra‑basso. Il C30659-1060-R8BH include un Si APD C30954EH ottimizzato per 1060 nm con diametro attivo di 0,8 mm.

Caratteristiche

• Progetto dell'amplificatore invertente con seguitore d'emettitore come stadio di buffer in uscita.
• I Si APD impiegati sono gli stessi dei prodotti Excelitas C30817EH, C30902EH, C30954EH e C30956EH; APD InGaAs sono usati nei prodotti C30645EH e C30662EH.
• I rivelatori offrono buona risposta tra 830 e 1550 nm e tempi di salita/discesa molto rapidi su tutte le lunghezze d'onda.
• La sezione preamplificatrice utilizza un front-end GaAs FET a rumore molto basso progettato per operare a transimpedenza maggiore rispetto alla serie standard C30950.

Documentazione
Datasheet: ricevitore Si APD serie C30659 di Excelitas (scheda prodotto disponibile).

Specifiche tecniche

• Banda passante di sistema: 200 MHz
• Potenza equivalente di rumore ultra bassa (NEP):
  • 55 fW/√Hz a 900 nm
  • 100 fW/√Hz a 1064 nm
• Gamma di risposta spettrale: 400–1100 nm, ottimizzata a 1060 nm
• Consumo tipico: 150 mW
• Tensioni operative dell'amplificatore: ±5 V
• Capacità di carico 50 Ω in AC (AC-coupled)
• Involucro TO-8 ermeticamente sigillato
• Alta affidabilità