Modulo fotodiodo a valanga (APD) C30659-900-R5BH

Panoramica
La serie C30659 comprende un fotodiodo a valanga in silicio (Si APD) con un preamplificatore ibrido in un involucro TO-8 ermeticamente sigillato per la rilevazione a rumore ultra-basso. La variante C30659-900-R5BH integra un APD Si C30902EH con risposta di picco a 900 nm e diametro attivo di 0,5 mm.

Caratteristiche principali e descrizione funzionale
Il modulo utilizza una topologia amplificatore invertente con un emitter follower come stadio di uscita. Il front-end del preamplificatore impiega un FET GaAs a rumore molto basso per ottenere una transimpedenza superiore rispetto alla serie standard C30950. Gli APD Si della famiglia C30659 corrispondono ai dispositivi usati nei prodotti C30817EH, C30902EH, C30954EH e C30956EH; APD InGaAs sono impiegati nelle varianti C30645EH e C30662EH. Questi rivelatori offrono buona sensibilità tra il visibile e il vicino infrarosso e presentano tempi di salita/discesa rapidi su tutte le lunghezze d'onda.

Applicazioni

• Rilevazione fotonica a basso rumore in involucri compatti e ermetici
• Sistemi che richiedono risposta temporale rapida e preamplificazione ad alta transimpedenza

Specifiche tecniche

• Larghezza di banda del sistema: 200 MHz
• Potenza equivalente di rumore (NEP): 35 fW/√Hz a 830 nm; 40 fW/√Hz a 900 nm
• Intervallo di risposta spettrale: 400 a 1100 nm
• Consumo tipico: 150 mW
• Tensioni di funzionamento dell'amplificatore: ±5 V
• Capacità di carico AC 50 Ω (AC accoppiato)
• Involucro TO-8 ermeticamente sigillato
• Elemento rivelatore attivo: C30902EH Si APD, risposta di picco 900 nm, diametro attivo 0,5 mm