Fotodiodo a infrarossi C30822EH

in silicioPIN

Panoramica
Il C30822EH è un fotodiodo PIN in silicio (Si) con un chip di diametro attivo 5,0 mm in un package TO-8 ermeticamente sigillato. Copre la gamma spettrale da 300 nm a 1100 nm ed è disponibile con superfici fotosensibili da 0,8 mm² a 100 mm².

Caratteristiche e vantaggi

• Fotodiodo PIN in silicio (Si)
• Package TO-8 hermeticamente sigillato
• Chip con diametro attivo 5,0 mm
• Rivestimento antiriflesso ottimizzato per 900 nm
• Elevata responsività
• Tempi di risposta rapidi
• Bassa tensione di esercizio
• Bassa capacità
• Costruzione ermetica
• Conforme RoHS

Applicazioni

• Sistemi di rilevamento laser
• Fotometria
• Trasmissione dati
• Strumentazione
• Commutazione ad alta velocità

Specifiche tecniche

• Tensione di rottura: >100 V
• Capacitanza: 12 pF
• Corrente d'oscurità: 50 nA / <250 nA
• Corrente di rumore: 130 fW/√Hz
• Lunghezza d'onda di picco: 900 nm
• Responsività: 0,6 A/W (a 900 nm)
• Tempo di salita/discesa: <20 ns / <20 ns