Fotodiodo a infrarossi C30737LH-230-80N

sensibile alle lunghezze d'ondain silicioLIDAR

Panoramica del prodotto
Il fotodiodo a valanga in silicio C30737LH-230-80N (Si APD) è ottimizzato per risposta migliorata a 800 nm. Presenta un diametro attivo di 230 µm ed è fornito in package ceramico senza pin (LCC), adatto per assemblaggi rivelatori compatti.

Caratteristiche principali

• Alta responsività tra 500 e 1000 nm con picco a 800 nm
• Basso rumore di buio e tempi di salita molto rapidi; risposta in frequenza > 1,5 GHz
• Diametro attivo: 230 µm, ottimizzato per 800 nm
• Package ceramico senza pin (LCC) per integrazione compatta

Applicazioni

• Sistemi LiDAR
• Misurazione della distanza laser
• Scanner e sistemi di sicurezza
• Moduli di rilevamento ottico ad alte prestazioni e a basso costo

Specifiche tecniche

• Diametro attivo: 230 µm
• Lunghezza d'onda di massima sensibilità: 800 nm
• Tensione di breakdown (Vbd): 120–210 V (binning disponibile)
• Coefficiente di temperatura di Vop per M costante: 0,5 V/°C
• Gain: 100 @ 800 nm
• Responsività: 50 A/W a 800 nm
• Corrente di buio Id: 0,05–<0,5 nA
• Corrente di rumore: 0,1 pA/√Hz
• Capacitanza: 1 pF
• Tempo di salita/discesa: 0,2 ns (R carico = 50 Ω)
• Frequenza di taglio: 1,5 GHz
• Temperatura di stoccaggio: -50 °C a +100 °C
• Temperatura di funzionamento: -40 °C a +85 °C
• Package: finestra in vetro 3 × 3 mm, package ceramico senza pin (LCC)
• Finestra: standard