Fotodiodo in silicio C30902EH

a valangaa infrarossiLIDAR

Panoramica
I fotodiodi ad avalanche C30902EH di Excelitas sono APD in silicio «reach-through» ad ampia area e alta velocità, progettati per applicazioni a bassa illuminazione che richiedono guadagni tipici superiori a 100. Confezionati in involucri TO-18 modificati con finestra in vetro piano, disponibili in varie configurazioni TO-18 (vetro piano, lente a sfera, light pipe e filtro 905 nm). Il diametro utile della superficie fotosensibile è 0,5 mm.

Dettagli chiave
La serie C30902EH è realizzata con una struttura doppia-diffusa «reach-through» che offre elevata responsività tra 400 nm e 1000 nm e tempi di salita/discesa estremamente rapidi. La responsività è indipendente dalla frequenza di modulazione fino a tip. 800 MHz. Il chip del rivelatore è ermeticamente sigillato dietro una finestra in vetro piano in un pacchetto TO-18 modificato. La famiglia include anche una variante APD capace di singolo fotone (SPAD) (C30902SH) utilizzabile in modalità Geiger e lineare.

Caratteristiche e vantaggi

• APD Si 0,5 mm in involucro TO-18
• Alta efficienza quantica – 84% tip. a 800 nm
• Basso rumore a temperatura ambiente
• Elevata responsività – guadagni di avalanche interni >150
• Gamma di risposta spettrale – 400 a 1100 nm
• Risposta temporale – tip. 0,4 ns
• Ampio intervallo di temperatura di funzionamento -40°C a +85°C

Applicazioni

• Misure LiDAR / Time-of-Flight (ToF)
• Reflectometro ottico nel dominio del tempo (OTDR)
• Fluorescenza a piccolo segnale
• Scansione laser

Specifiche tecniche

• Area attiva: 0,2 mm²
• Diametro attivo: 0,5 mm
• Tensione di breakdown: Tip. 225 V
• Capacitanza: 1,5 pF
• Coefficiente di temperatura: Tip. 0,7 V/°C
• Corrente di buio: 7 nA
• Rumore di buio: 0,1 pA/√Hz
• Potenza equivalente di rumore: 1,23 fW/√Hz
• Responsività tipica: 80 A/W a 800 nm
• Guadagno raccomandato: 150
• Package: TO-18, finestra piana