Modulo fotodiodo a valanga (APD) C30659-1550-R08BH

Panoramica
La serie C30659 è un ricevitore APD InGaAs che integra un fotodiodo a valanga InGaAs con un preamplificatore ibrido a basso rumore in un package TO-8 ermeticamente sigillato. La variante C30659-1550-R08BH monta il detector Excelitas C30645EH ottimizzato per 1550 nm, offrendo risposta rapida e basso rumore per applicazioni in fibra ottica e strumentazione.

Progetto e funzionamento
Il ricevitore adotta una topologia di amplificatore invertente con un emitter-follower come stadio di uscita. La sezione preamplificatrice utilizza un FET GaAs a rumore molto basso che consente una maggiore transimpedenza rispetto ai progetti standard, garantendo un conditioning del segnale affidabile fino alla larghezza di banda specificata.

Dettagli del rivelatore
La serie impiega APD in Si o InGaAs a seconda della variante. Il C30659-1550-R08BH incorpora il detector Excelitas C30645EH InGaAs. Questi rivelatori offrono buona reattività tra ~830 nm e 1550 nm e tempi di salita/discesa rapidi, rendendo il modulo adatto alla rilevazione ottica ad alta velocità a 1550 nm.

Caratteristiche principali

• Larghezza di banda del sistema: 200 MHz
• NEP ultra-basso:
  • 250 fW/√Hz a 1300 nm
  • 220 fW/√Hz a 1550 nm
• Risposta spettrale: picco a 1550 nm
• Consumo tipico: 150 mW
• Alimentazione amplificatore: ±5 V
• Uscita: capacità di carico 50 Ω accoppiata in AC
• Package: TO-8 ermeticamente sigillato
• Detector incluso: Excelitas C30645EH InGaAs APD (ottimizzato per 1550 nm)

Specifiche tecniche

• Larghezza di banda del sistema: 200 MHz
• NEP: 250 fW/√Hz a 1300 nm; 220 fW/√Hz a 1550 nm
• Risposta spettrale: picco a 1550 nm; risposta tra ~830 nm e 1550 nm
• Consumo tipico: 150 mW
• Tensioni di funzionamento dell'amplificatore: ±5 V
• Uscita: capacità di carico 50 Ω (accoppiata AC)
• Package: TO-8 ermeticamente sigillato
• Detector incluso in questa variante: Excelitas C30645EH InGaAs APD (ottimizzato per 1550 nm)
• Note di progettazione: amplificatore invertente con emitter-follower in uscita; front-end FET GaAs a basso rumore per maggiore transimpedenza