Fotodiodo UV C30739ECERH
per radiazioni ionizzantia valangain silicio

Fotodiodo UV - C30739ECERH - Excelitas Technologies - PCO - per radiazioni ionizzanti / a valanga / in silicio
Fotodiodo UV - C30739ECERH - Excelitas Technologies - PCO - per radiazioni ionizzanti / a valanga / in silicio
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Caratteristiche

Specificazioni
UV, per radiazioni ionizzanti, a valanga, in silicio, sensibile alle lunghezze d'onda
Montaggio
chip on carrier

Descrizione

Panoramica del prodotto
Il C30739ECERH è un fotodiodo APD in silicio (Si APD) a breve lunghezza d'onda, montato su un supporto ceramico piatto. Copre circa 400–700 nm con risposta UV potenziata ed efficienza quantica >70% a 430 nm. Progettato per il rilevamento a bassa intensità luminosa, il package ceramico semplifica il collegamento meccanico a scintillatori come LSO e BGO ed è adatto per applicazioni di imaging medico e rivelazione delle radiazioni.

Caratteristiche e vantaggi
  • Si APD con risposta UV potenziata
  • Efficienza quantica >70% a 430 nm
  • Package ceramico piatto per agevole accoppiamento ai scintillatori
  • Package non magnetico adatto ad ambienti di rilevamento sensibili


Applicazioni
  • Imaging molecolare
  • Rivelatori per medicina nucleare
  • Rilevazione di fluorescenza
  • Strumentazione per fisica delle alte energie
  • Monitoraggio della sicurezza radiologica
  • Monitoraggio ambientale delle radiazioni


Specifiche tecniche
  • Area attiva: 5,6×5,6 mm
  • Tensione di breakdown: 400, <450 V
  • Capacitanza: 60 pF
  • Corrente dark: 1,5 nA
  • Guadagno: >100
  • Corrente di rumore:
  • Tempo di risposta: 2 ns
  • Responsività: 26 A/W per C30739ECERH, 52 A/W per C30739ECERH-2 a 430 nm (guadagno tipico)
  • Tempo di salita/discesa: 2 ns
  • Corrente spettrale di rumore: 0,3 pA/√Hz per C30739ECERH, 0,4 pA/√Hz per C30739ECERH-2
  • Gamma di lunghezze d'onda: 400–700 nm

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Fiere

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 nov 2026 Munich (Germania) Hall B4 - Stand 302

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