Fotodiodo sensibile alle lunghezze d'onda C30737MH-500-80N

in silicioLIDARa valanga

Panoramica prodotto: Il fotodiodo a valanga in silicio C30737MH-500-80N (APD) offre un diametro attivo di 500 µm con sensibilità migliorata a 800 nm. Fornito in leadless laminated carrier (LLC) in un package FR4 epossidico top-looking 2 × 1,75 mm, è adatto per rilevamento ottico ad alta velocità.

Caratteristiche principali:

• Alta responsività tra 500–1000 nm, ottimizzato per 800 nm
• Basso rumore con tempi di salita/discesa molto rapidi e banda >1,3 GHz
• Guadagno ~100 a 800 nm
• Opzione di package Leadless Laminated Carrier "MH", top-looking

Applicazioni:

• Sistemi LiDAR e misurazione della distanza laser
• Rilevamento e misurazione laser
• Rivelatori per sicurezza e scansione
• Soluzioni di rivelazione ottica ad alte prestazioni e a basso costo

Specifiche:

• Diametro attivo: 500 μm
• Lunghezza d’onda di sensibilità massima: 800 nm
• Tensione di breakdown (Vbd): 120–210 V (binning disponibile)
• Coefficiente di temperatura di Vop (M costante): 0,5 V/°C
• Guadagno: 100 @ 800 nm
• Responsività: 50 A/W @ 800 nm
• Corrente di buio (Id): <1 nA
• Corrente di rumore: 0,1 pA/√Hz
• Capacitanza: 2 pF
• Tempo di salita/discesa: 0,3 ns (Rload = 50 Ω)
• Frequenza di taglio: 1,3 GHz
• Temperatura di stoccaggio: -50°C a +100°C
• Temperatura di esercizio: -40°C a +85°C
• Package: 2 × 1,75 mm top-looking FR4 epossidico, leadless laminated carrier (LLC)