Fotodiodo in silicio VTP9812FH

sensibile alle lunghezze d'onda

Panoramica del prodotto
Il fotodiodo al silicio VTP9812FH è fornito in package piatto T-1¾ con blocco infrarosso. Presenta un'area attiva di 1,548 mm² e una risposta spettrale nell'intervallo visibile (400–700 nm), con picco a 580 nm. Il dispositivo offre corrente di buio molto bassa, elevata resistenza di shunt e bassa capacità di giunzione per risposte veloci. Può essere polarizzato inversamente per ridurre la capacità e aumentare la velocità, oppure utilizzato in modalità fotovoltaica quando la velocità non è critica.

Caratteristiche e vantaggi

• Risposta spettrale prossima all'occhio umano (intervallo visibile)
• Linearità 1–2% su 7–9 decadi
• Bassa corrente di buio
• Elevata resistenza di shunt
• Bassa capacità di giunzione per risposta rapida
• Alta tensione inversa nominale
• Conforme RoHS

Applicazioni

• Rilevamento e commutazione della luce interna ed esterna
• Sistemi di dimmer per fari automobilistici
• Controllo del contrasto dei display
• Controlli d'illuminazione per risparmio energetico

Specifiche tecniche

• Area attiva: 1,548 mm²
• Corrente di cortocircuito: Min. 0,7 µA a 100 fc, 2850 K
• Corrente di buio: Max. 10 nA a 10 V polarizzazione inversa
• Capacità di giunzione: Max. 150 pF a 10 V polarizzazione inversa
• Gamma spettrale: 400 nm a 700 nm
• Risposta spettrale di picco: 580 nm
• Sensibilità alla lunghezza d'onda di picco: Tip. 0,034 A/W
• Risposta angolare: ±50° al 50% della risposta
• Temperatura di saldatura: Max. 260°C