Fotodiodo sensibile alle lunghezze d'onda C30807EH

in silicioPIN

Panoramica del prodotto
Il C30807EH è un fotodiodo PIN in silicio di tipo N con un chip dal diametro attivo di 1,0 mm, alloggiato in un package TO-18 ermeticamente sigillato. Copre l'intervallo di lunghezze d'onda da 300 nm a 1100 nm ed è parte di una serie con aree fotosensibili da 0,8 mm² a 100 mm².

Caratteristiche e vantaggi:

• Alta responsività (tip. 0,6 A/W a 900 nm)
• Tempi di risposta rapidi (<5 / <10 ns)
• Bassa tensione di esercizio e basso corrente di buio
• Bassa capacità (2,5 pF)
• Package TO-18 ermetico per prestazioni stabili
• Conforme RoHS

Applicazioni:

• Sistemi di rilevamento e monitoraggio laser
• Strumenti di fotometria e misura della luce
• Ricevitori per trasmissione dati ottica
• Strumentazione di precisione e sensori
• Commutazione ottica ad alta velocità

Specifiche (tipiche):
Tensione di breakdown: >100 V
Capacità: 2,5 pF
Corrente di buio: 10 nA / <50 nA
Corrente di rumore: 60 fW/√Hz
Lunghezza d'onda di picco: 900 nm
Responsività: 0,6 A/W a 900 nm
Tempo di salita/discesa: <5 ns / <10 ns

Caratteristiche / Specifiche tecniche

• Tipo di dispositivo: fotodiodo PIN in silicio di tipo N
• Diametro attivo: 1,0 mm
• Package: TO-18 ermeticamente sigillato
• Intervallo di lunghezze d'onda: 300 nm a 1100 nm
• Gamma di area fotosensibile (serie): 0,8 mm² a 100 mm²
• Conforme RoHS