Modulo fotodiodo a valanga (APD) C30659-1550E-R08BH

Panoramica
La serie C30659 di ricevitori APD InGaAs integra un fotodiodo a valanga InGaAs (APD) e un preamplificatore ibrido in un package TO-8 ermetico per funzionamento a rumore ultra-basso. La variante C30659-1550E-R08BH comprende un APD InGaAs C30645EH ottimizzato per 1550 nm con area attiva di 80 µm.

Progettazione e prestazioni
La serie utilizza un design ad amplificatore invertente con un emitter follower come stadio di uscita. Il front-end del preamplificatore impiega un FET GaAs a rumore molto basso, progettato per operare a transimpedenza superiore rispetto alla serie C30950. I rivelatori InGaAs forniscono buona risposta tra 830 nm e 1550 nm e tempi di salita/discesa rapidi su queste lunghezze d'onda.

Caratteristiche principali

• APD ibrido più preamplificatore in package TO-8 ermetico
• APD InGaAs C30645EH ottimizzato per 1550 nm (usato in questa variante)
• Area attiva 80 µm
• Progetto con soglia di danneggiamento elevata

Applicazioni
Sistemi di rilevamento ottico e sensori che richiedono alta sensibilità, rumore ultra-basso e risposta rapida nel vicino infrarosso, inclusa l'operazione intorno a 1550 nm.

Specifiche tecniche

• Numero parte: C30659-1550E-R08BH
• Serie: C30659
• Banda del sistema: 200 MHz
• NEP: 250 fW/√Hz a 1300 nm; 220 fW/√Hz a 1550 nm
• Risposta spettrale: picco a 1550 nm (buona risposta tra 830 nm e 1550 nm)
• Consumo tipico: 150 mW
• Tensioni di alimentazione dell'amplificatore: ±5 V
• Capacità di carico AC 50 Ω (accoppiato in AC)
• Package: TO-8 ermetico
• Front-end preamplificatore: FET GaAs a rumore molto basso