Modulo fotodiodo a valanga (APD) C30927EH-02

Descrizione del prodotto
Il fotodiodo a valanga al silicio a quattro quadranti C30927EH-02 con diametro utile di 1,55 mm presenta una struttura doppia diffusa di tipo "reach-through". Il design a quadranti utilizza una giunzione di valanga comune; la separazione dei quadranti è ottenuta segmentando la superficie p+ di ingresso della luce opposta alla giunzione, eliminando spazi morti tra gli elementi e preservando la risposta sull'asse. Il dispositivo è ottimizzato per il funzionamento a 900 nm e garantisce elevata responsività se impiegato entro circa ±50 nm dalla lunghezza d'onda specificata.

Caratteristiche principali

• Angolo pieno per superficie fotosensibile totalmente illuminata maggiore di 90°
• Alta efficienza quantica ottimizzata per 900 nm
• Risposta temporale veloce
• Ampia area attiva: 1,77 mm²
• Package TO-8 ermeticamente sigillato a profilo basso

Applicazioni

• Tracciamento
• Allineamento
• Identificazione "amico o nemico"

Caratteristiche / Specifiche tecniche

• Intervallo tensione di breakdown (V): 350 a 485
• Tensione di breakdown tipica (V): 425
• Guadagno tipico (M): 100
• Coefficiente di temperatura tipico per guadagno costante (V/°C): 2.4
• Responsività minima a 900 nm (A/W): 50
• Responsività tipica a 900 nm (A/W): 62
• Corrente di buio totale tipica (nA): 100
• Corrente di buio totale massima (nA): 200
• Corrente di rumore tipica per elemento (pA/√Hz): 1.0
• Corrente di rumore massima per elemento (pA/√Hz): 1.5
• Capacitanza totale tipica di tutti i quadranti (pF): 3
• Capacitanza totale massima di tutti i quadranti (pF): 5
• Resistenza di serie massima (Ω): 15
• Tempo tipico di salita e discesa (ns): 3
• Temperatura di immagazzinamento (°C): -60 a 120
• Temperatura di esercizio (°C): -40 a 60