Fotodiodo a infrarossi C30737PH-500-90N

sensibile alle lunghezze d'ondaa valangain silicio

Panoramica del prodotto
Il fotodiodo a valanga in silicio C30737PH-500-90N (Si APD) offre un diametro attivo di 500 µm ed è ottimizzato per una risposta potenziata a 900 nm. Fornito in package plastico T 1¾ attraversante, il dispositivo garantisce elevata reattività e risposta temporale rapida per applicazioni di rilevamento ottico.

Caratteristiche principali

• Elevata reattività tra 500 e 1000 nm, con picco intorno a 900 nm
• Basso rumore e tempi di salita molto rapidi; risposta in frequenza oltre 380 MHz
• Diametro attivo 500 µm ottimizzato per il vicino infrarosso
• Opzione package plastico T 1¾ (PH)

Applicazioni

• Sistemi LiDAR
• Telemetria laser
• Apparecchiature di sicurezza e scansione
• Applicazioni a basso costo che richiedono rivelatori ad alte prestazioni

Specifiche

• Diametro attivo: 500 µm
• Lunghezza d'onda di sensibilità massima: 900 nm
• Tensione di breakdown Vbd: 180–260 V (binning disponibile)
• Coefficiente di temperatura di Vop per M costante: 1,3 V/°C
• Guadagno: 100 @ 900 nm
• Reattività: 60 A/W a 800 nm
• Corrente di buio Id: <1 nA
• Corrente di rumore: 0,1 pA/√Hz
• Capacitanza: 1 pF
• Tempo di salita/disp.: 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
• Frequenza di taglio: 380 MHz
• Temperatura di stoccaggio: -50 °C a +100 °C
• Temperatura operativa: -40 °C a +85 °C
• Package: plastico T 1¾ attraversante

Caratteristiche / specifiche tecniche

• Diametro attivo: 500 µm
• Lunghezza d'onda di sensibilità massima: 900 nm
• Tensione di breakdown Vbd: 180–260 V (binning disponibile)
• Coefficiente di temperatura di Vop per M costante: 1,3 V/°C
• Guadagno: 100 @ 900 nm
• Reattività: 60 A/W a 800 nm
• Corrente di buio Id: <1 nA
• Corrente di rumore: 0,1 pA/√Hz
• Capacitanza: 1 pF
• Tempo di salita/disp.: 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
• Frequenza di taglio: 380 MHz
• Temperatura di stoccaggio: -50 °C a +100 °C
• Temperatura operativa: -40 °C a +85 °C
• Package: plastico T 1¾ attraversante