Fotodiodo UV VTB8440H

sensibile alle lunghezze d'ondaa infrarossiin silicio

Descrizione
Il fotodiodo al silicio VTB8440H potenziato per il blu è alloggiato in un package ceramico incassato da 8 mm con protezione in resina epossidica trasparente. Fornisce una risposta migliorata nella regione spettrale blu mantenendo un'elevata resistenza di shunt e un basso oscuramento, adatto per misure di luce di precisione.

Il dispositivo offre un'area attiva di 5,16 mm² e una risposta spettrale da 320 nm a 1100 nm. Progettato come fotodiodo planare P-on-N, il VTB8440H è ottimizzato per una forte risposta nella parte visibile dello spettro e predilige il funzionamento in modalità fotovoltaica.

Principalmente destinato all'uso in modalità fotovoltaica, il fotodiodo può essere utilizzato con un piccolo polarizzamento inverso se necessario. La sua elevata resistenza di shunt riduce gli offset nei circuiti amplificatori transimpedenza ad alto guadagno, migliorando la stabilità e la precisione delle misure.

Caratteristiche e vantaggi

• Gamma spettrale UV fino al vicino IR (320–1100 nm)
• Linearità 1%–2% su 7–9 decadi
• Corrente di buio molto bassa (≤ 2 nA a 2 V polarizzazione inversa)
• Elevata resistenza di shunt per bassi offset nei circuiti ad alto guadagno
• Conforme RoHS

Applicazioni

• Rilevamento UV e luce blu
• Lettori di luce e strumenti fotometrici
• Monitoraggio fiamma
• Fotometria e rivelatori di laboratorio

Specifiche tecniche

• Area attiva: 5,16 mm²
• Corrente di cortocircuito: Min. 35 µA a 100 fc, 2850 K
• Corrente di buio: Max. 2 nA a 2 V polarizzazione inversa
• Capacitanza di giunzione: Tip. 1,0 nF a 0 V di polarizzazione
• Gamma spettrale: 320 nm a 1100 nm
• Risposta spettrale di picco: 920 nm
• Sensibilità alla lunghezza d'onda di picco: Tip. 0,5 A/W
• Risposta angolare: ±50° al 50% di risposta
• Package: package ceramico incassato da 8 mm con protezione in epossidica trasparente
• Costruzione: fotodiodo planare P-on-N in silicio, ottimizzato per la risposta nel visibile
• Modalità di funzionamento: principalmente fotovoltaica; può essere usato con piccolo polarizzamento inverso; elevata resistenza di shunt adatta a circuiti amplificatori transimpedenza ad alto guadagno