Modulo fotodiodo a valanga (APD) C30662 series

Panoramica
La serie Excelitas C30662 comprende fotodiodi a valanga InGaAs (APD) di grande superficie con area attiva di 200 µm, ottimizzati per la rilevazione su 1000–1700 nm. Questi APD offrono elevata efficienza quantica e reattività con basso rumore intrinseco. Disponibili in package ermetici TO-18, TO-46, su supporto ceramico e SMD per integrazione in laboratorio, OEM e produzione ad alto volume.

Prestazioni e applicazioni
Le opzioni ad alta larghezza di banda e basso rumore consentono di migliorare il rapporto segnale/rumore per LiDAR, telemetria eye-safe e OTDR coerente. Le varianti a basso rumore estendono la portata per il rilevamento Raman e aumentano la sensibilità nelle applicazioni di sensing distribuito su fibra (DTS, DAS). Adatto per sistemi OEM che richiedono guadagno operativo stabile e risposta rapida.

Modelli della serie (modello / tipo di package / materiale finestra / apertura / commenti)
C30662ECERH / Ceramic Carrier / N/A / N/A / (no comment)
C30662ECERH-1 / Ceramic Carrier / N/A / N/A / ΔV > 4 V
C30662EH / TO-18, 2 pin / Glass / Large / (no comment)
C30662EH-1 / TO-18, 2 pin / Glass / Large / ΔV > 4 V
C30662EH-2 / TO-46, 3 pin / Glass / Large / 3. ground pin
C30662EH-137 / TO-18, 2 pin / Glass (per alcune varianti EH) / Small / low noise, ΔV > 4 V
C30662EH-3 / TO-18, 2 pin / (non specificato) / Small / (no comment)
C30662EH-5 / TO-18, 2 pin / Silicon / Small / (no comment)
C30662EH-7 / TO-46, 3 pin / Glass / Large / low noise
C30662EH-27 / TO-46, 3 pin / Glass / Large / low noise, 3. ground pin
C30662L-200 / SMD / N/A / N/A / (no comment)
C30662L-200-1 / SMD / Silicon / N/A / (no comment)
C30662L-200-7 / SMD / Glass / N/A / low noise
C30662L-200-17 / SMD / Silicon / N/A / (no comment)

Parametri elettrici / ottici (selezionati)
Rise/Fall time: t_r / t_f = 0.4 ns (max)
Banda passante (−3 dB): tip. 600 MHz, max. 850 MHz
Capacitanza: standard tip. 2,5 pF, SMD tip. 2,7 pF
Corrente di buio: standard tip. 13 nA (max 35 nA); basso rumore tip. 7,5 nA (max 15 nA)
Rumore oscuro (i_N): standard tip. 0,45 pA/√Hz (max 1 pA/√Hz); basso rumore tip. 0,35 pA/√Hz (max 0,5 pA/√Hz)
NEP: standard tip. 48 fW/√Hz (max 106 fW/√Hz); basso rumore tip. 37 fW/√Hz (max 53 fW/√Hz)
Guadagno operativo (M): tip. 10, max. 20
Tensione di breakdown (V_BD): min 45 V, tip. 50 V, max 70 V; Punto operativo dal breakdown (ΔV): tip. 4 V
Gamma spettrale: 1000–1700 nm; Efficienza quantica: tip. ~75%
Responsività @1550 nm: tip. ~9,3 A/W; Coefficiente di temperatura di V_BD: tip. 0,14 V/°C (max 0,2 V/°C)

Note
Nota 1: Le finestre in vetro trasmettono visibile e IR; le finestre in silicio bloccano il visibile al di sotto di ≈1,1 µm.
Nota 2: Alcune finestre sono rivestite AR per ridurre le riflessioni.

Specifiche tecniche

• Area attiva: 200 µm
• Gamma spettrale: 1000 nm – 1700 nm
• Efficienza quantica: ~75% (tipica)
• Responsività a 1550 nm: ~9,3 A/W (tipica)
• Banda passante (−3 dB): tipica 600 MHz, fino a 850 MHz
• Rise/Fall time: tip/max ~0,4 ns
• Guadagno operativo (M): tipico 10, fino a 20
• Tensione di breakdown (VBD): 45 – 70 V (tip. 50 V)
• Punto operativo dal breakdown (ΔV): ~4 V
• Capacitanza (standard): ~2,5 pF; SMD: ~2,7 pF
• Corrente di buio (standard): tip. 13 nA, max 35 nA; varianti basso rumore: tip. 7,5 nA, max 15 nA
• Rumore di buio (standard): 0,45 – 1 pA/√Hz; basso rumore: 0,35 – 0,5 pA/√Hz
• NEP standard: tip. 48 fW/√Hz, max 106 fW/√Hz; basso rumore: tip. 37 fW/√Hz, max 53 fW/√Hz
• Opzioni package: TO-18 (2 pin), TO-46 (3 pin), ceramic carrier, SMD
• Opzioni finestra: Glass (AR-coated), Silicon, o N/A a seconda del package
• Varianti ottimizzate per LiDAR, OTDR, DTS, DAS e telemetria eye-safe