Fotodiodo in silicio VTB1012BH

sensibile alle lunghezze d'ondaPIN

Panoramica del prodotto
Il VTB1012BH è un fotodiodo al silicio in contenitore ermetico TO-46 a finestra piana, con area attiva di 1,6 mm² e filtro integrato di rifiuto IR per limitare la risposta alla parte visibile dello spettro. Presenta elevata resistenza di shunt e basso oscuramento (dark current). Questi fotodiodi sono progettati principalmente per funzionamento in modalità fotovoltaica ma possono essere usati con un piccolo bias inverso; l'alta resistenza di shunt riduce gli offset nei circuiti amplificatori transimpedenza ad alto guadagno. Conforme RoHS.

Caratteristiche e vantaggi

• Gamma spettrale nel visibile
• Linearità 1%–2% su 7 a 9 decadi
• Bassa corrente di oscuramento
• Elevata resistenza di shunt
• Conforme RoHS

Applicazioni

• Controllo e commutazione della luce interna ed esterna
• Regolazione fari per veicoli
• Controllo del contrasto dei display
• Sistemi di risparmio energetico

Specifiche tecniche

• Area attiva = 1,6 mm²
• Corrente di cortocircuito = Minima 0,8 µA a 100 fc, 2850 K
• Corrente di oscuramento = Massima 100 pA a 2 V di polarizzazione inversa
• Capacità di giunzione = Tipica 0,31 nF a 0 V di polarizzazione
• Gamma spettrale = 330 nm a 720 nm
• Risposta spettrale di picco = 580 nm
• Sensibilità alla lunghezza d'onda di picco = Tipica 0,29 A/W
• Risposta angolare = ±35° al 50% della risposta