Fotodiodo in silicio C30845EH

a infrarossia quadrantisensibile alle lunghezze d'onda

Panoramica del prodotto
Il C30845EH è un fotodiodo PIN a quadrante in silicio di tipo N in un pacchetto TO-8 ermetico, progettato per funzionare su un ampio intervallo spettrale dal vicino UV al vicino IR. La grande area attiva (50 mm², diametro 8 mm) permette di ottenere informazioni di posizione sia da punti focalizzati sia defocalizzati in modalità pulsata o CW.

Caratteristiche

• Ampia superficie fotosensibile: 50 mm²
• Bassa tensione di funzionamento (Vop): 45 V
• Pacchetti TO-8 ermetici
• Intervallo di risposta spettrale: 400 a 1100 nm (progettato 300 a 1100 nm)
• Molto bassa separazione tra quadranti: 0,25 mm

Applicazioni / Note
Fotodiodo PIN a quadrante di tipo N in pacchetto TO-8 ermetico, adatto per applicazioni broadband a bassi livelli di luce e per ottenere informazioni di posizione da punti focalizzati o defocalizzati in funzionamento pulsato o continuo.

Specifiche tecniche

• Diametro attivo (mm): 8
• Area attiva (mm²): 50
• Tensione di breakdown minima (V): 100
• Capacitanza tipica per elemento (pF): 8
• Capacitanza massima per elemento (pF): 10
• Corrente di buio tipica per elemento a 10 V (nA): 70
• Corrente di buio massima per elemento a 10 V (nA): 200
• Corrente di buio tipica per elemento a 45 V (nA): 200
• Corrente di buio massima per elemento a 45 V (nA): 700
• Corrente di rumore tipica per elemento a 900 nm (pA/√Hz): 0,43
• Corrente di rumore massima per elemento a 900 nm (pA/√Hz): 1,80
• Corrente di rumore tipica per elemento a 1060 nm (pA/√Hz): 1,5
• Corrente di rumore massima per elemento a 1060 nm (pA/√Hz): 6,5
• Tempo di salita tipico (ns): 6
• Tempo di discesa tipico (ns): 10
• Temperatura di immagazzinamento (°C): -60 a 100
• Temperatura di funzionamento (°C): -40 a 80