Modulo fotodiodo a valanga (APD) C30659-UV-1

Panoramica
Il C30659-UV-1 integra un fotodiodo a valanga in silicio ottimizzato per UV (Si APD) e un preamplificatore ibrido in un package TO-8 ermeticamente sigillato, consentendo rilevamenti a rumore estremamente basso per applicazioni sensibili all'UV.

Dettagli
I Si APD ottimizzati per UV offrono buona reattività tra 400 nm e 950 nm e presentano tempi di salita e discesa rapidi su tutto lo spettro. La sezione preamplificatrice del modulo utilizza un front-end GaAs FET a rumore molto basso progettato per operare a transimpedenza superiore rispetto alla Serie standard C30950, migliorando l'amplificazione del segnale nelle misure a bassa luce.

Caratteristiche tecniche / specifiche

• Larghezza di banda del sistema: 50 MHz
• Potenza equivalente di rumore (NEP) ultrabassa: 10 fW/√Hz a 500 nm
• Intervallo di risposta spettrale: 400 a 950 nm
• Consumo tipico: 150 mW
• Tensioni di esercizio dell'amplificatore: ±5 V
• Capacità di carico AC 50 Ω (accoppiamento AC)
• Package TO-8 ermeticamente sigillato
• Alta affidabilità