Modulo fotodiodo a valanga (APD) C30659-1550-R2AH

Panoramica del prodotto
La serie C30659 include un fotodiodo a valanga (APD) in Silicio (Si) o InGaAs con un preamplificatore ibrido, nello stesso contenitore TO-8 ermeticamente sigillato, per consentire un funzionamento a rumore estremamente basso. Il modello C30659-1550-R2AH monta un APD InGaAs C30662EH ottimizzato per 1550 nm.

Caratteristiche
La serie C30659 presenta un design con amplificatore invertente e un follower di emettitore come stadio di buffer in uscita. Gli APD Si usati in questi dispositivi sono gli stessi impiegati nei prodotti C30817EH, C30902EH, C30954EH e C30956EH, mentre gli APD InGaAs sono utilizzati nei prodotti C30645EH e C30662EH. Questi rivelatori offrono ottima risposta tra 830 e 1550 nm e tempi di salita e discesa molto rapidi su tutte le lunghezze d'onda. La sezione preamplificatrice del modulo utilizza un front-end GaAs FET a rumore molto basso, progettato per operare a transimpedenza superiore rispetto alla nostra serie standard C30950.

Specifiche tecniche

• Banda di sistema: 50 MHz
• Potenza equivalente di rumore ultra bassa (NEP):
  • 150 fW/√Hz a 1300 nm
  • 130 fW/√Hz a 1550 nm
• Intervallo di risposta spettrale: picco a 1550 nm
• Consumo tipico: 150 mW
• Tensioni operative dell'amplificatore: ±5 V
• Capacità di carico AC 50 Ω (AC: accoppiato)
• Contenitore TO-8 ermeticamente sigillato
• Alta affidabilità