Modulo fotodiodo a valanga (APD) C30645 series

Panoramica del prodotto
La serie C30645 comprende fotodiodi a valanga InGaAs di grande area con area attiva di 80 µm, ottimizzati per la rilevazione tra 1000 e 1700 nm. Disponibili in package ermetici TO-18 e TO-46, supporto ceramico e SMD, questi APD offrono alta responsività a 1550 nm e opzioni a basso rumore per sistemi di fibra e sensori ad alta velocità.

Applicazioni e vantaggi
Progettata per OEM e integratori di sistema, la serie C30645 bilancia larghezza di banda e rumore per migliorare il rapporto segnale/rumore (SNR) in applicazioni critiche.

• LiDAR e misurazione di distanza eye-safe — aumento della portata con le varianti a basso rumore
• OTDR coerente e sensing distribuito (DTS, DAS) — sensibilità migliorata per segnali Raman o retro-diffusi
• Ricevitori per telecom ad alta velocità e strumenti di misura ottici — ampia banda e tempi di salita/discesa rapidi

Modelli e opzioni di package

• C30645ECERH | Supporto ceramico | Finestra: N/A | Apertura: N/A
• C30645EH | TO-18 (2 pin) | Finestra: Silicio | Apertura: Piccola (opzione AR)
• C30645EH-1 | TO-18 (2 pin) | Finestra: Vetro | Apertura: Grande (opzione AR)
• C30645EH-2 | TO-46 (3 pin) | Finestra: vedi tabella | Nota: 3 = pin di massa
• C30645EH-7 | TO-18 (2 pin) | Finestra: Silicio | Apertura: Piccola | opzione basso rumore
• C30645EH-27 | TO-46 (3 pin) | Finestra: Vetro | Apertura: Grande | basso rumore, 3 = pin di massa
• C30645L-080 | SMD | Finestra: Vetro | Apertura: N/A
• C30645L-080-1 | SMD | Finestra: Silicio | Apertura: N/A
• C30645L-080-7 | SMD | Finestra: Vetro | Apertura: N/A | opzione basso rumore
• C30645L-080-17 | SMD | Finestra: Silicio | Apertura: N/A

Note
Nota 1: Le finestre in vetro sono trasmissive nel visibile e IR; le finestre in silicio bloccano il visibile fino a ~1,1 µm.
Nota 2: Opzione finestra con rivestimento antiriflesso (AR) per ridurre le riflessioni.

Specifiche elettriche / ottiche

• Area attiva: 80 µm
• Gamma spettrale: 1000–1700 nm
• Responsività tipica @1550 nm: 9,3 A/W
• Tempo di salita/discesa tipico: 0,3 ns
• Banda minima (f3dB): 1000 MHz
• Capacitanza: tip. 1,25 pF (standard), 1,45 pF (SMD)
• Corrente di buio (tip.): 2,5 nA (standard), 1 nA (SMD); max: 15 nA (standard), 5 nA (SMD)
• Rumore di buio (tip.): 0,2 pA/√Hz (standard); basso rumore: 0,1 pA/√Hz
• NEP (tip.): 25 fW/√Hz (standard); basso rumore: 11 fW/√Hz
• Guadagno operativo (M): min 10, tip. 20
• Tensione di breakdown (V_BD): min 45 V, tip. 50 V, max 70 V
• Coefficiente di temperatura di V_BD: tip. 0,14 V/°C, max 0,2 V/°C

Caratteristiche principali

• Area attiva 80 µm per elevata efficienza di raccolta
• Ottimizzato per 1000–1700 nm, compatibile con lunghezze d'onda fibra e eye-safe
• Opzione a basso rumore per portata e sensibilità aumentate
• Molteplici package: TO-18, TO-46, supporto ceramico, SMD
• Alta banda e tempi sub-ns per sistemi ad alta velocità
• Bassa capacitanza adatta a front-end rapidi