Fotodiodo vista dall'alto C30737MH-230-80N

in silicioLIDARa valanga

Panoramica del prodotto: Il C30737MH-230-80N è un fotodiodo ad valanga in silicio (Si APD) che offre sensibilità migliorata a 800 nm con diametro attivo di 230 µm in un package leadless laminated carrier (LLC). Progettato per rilevamento ottico ad alta velocità con basso rumore e larghezza di banda in GHz.

Caratteristiche principali:

• Elevata responsività tra 500 e 1000 nm, picco a 800 nm
• Basso rumore, tempi di salita rapidi e risposta in frequenza oltre 1,5 GHz
• Diametro attivo 230 µm ottimizzato per 800 nm
• Opzione package leadless laminated carrier (LLC) — variante MH

Applicazioni:

• LiDAR e sensori time-of-flight
• Telemetria laser e misurazione della distanza
• Sistemi di sicurezza e scansione
• Applicazioni che richiedono rivelatori ad alte prestazioni a basso costo

Specifiche tecniche:

• Diametro attivo: 230 µm
• Lunghezza d'onda di sensibilità massima: 800 nm
• Tensione di breakdown (Vbd): 120–210 V (binning disponibile)
• Coefficiente di temperatura di Vop per M costante: 0,5 V/°C
• Guadagno: 100 @ 800 nm
• Responsività: 50 A/W @ 800 nm
• Corrente di buio (Id): 0,05–0,5 nA
• Corrente di rumore: 0,1 pA/√Hz
• Capacitanza: 1 pF
• Tempo di salita/discesa: 0,2 ns (Rload = 50 Ω)
• Frequenza di taglio: 1,5 GHz
• Temperatura di stoccaggio: -50 °C a +100 °C
• Temperatura di funzionamento: -40 °C a +85 °C
• Package: 2 x 1,75 mm top-looking FR4 epoxy, leadless laminated carrier (LLC)