Fotodiodo in silicio VTB8440BH

sensibile alle lunghezze d'onda

Descrizione del prodotto
Il VTB8440BH è un fotodiodo al silicio potenziato per il blu, inserito in un package ceramico incassato da 8 mm e protetto da uno strato di epossidico trasparente. Un filtro di rifiuto IR integrato limita la risposta allo spettro visibile. Il fotodiodo presenta un'elevata resistenza di shunt e una corrente di buio molto bassa, idoneo per misure luminose di precisione.

Informazioni aggiuntive
Il VTB8440BH offre un'area attiva di 5,16 mm² ed è ottimizzato per funzionamento in modalità fotovoltaica; può essere impiegato con un piccolo polarizzazione inversa se necessario. L'elevata resistenza di shunt riduce gli offset nei circuiti amplificatori transimpedenza ad alto guadagno.

Caratteristiche e vantaggi

• Risposta spettrale nel visibile (330–720 nm)
• Linearità 1 %–2 % su 7 a 9 decadi
• Corrente di buio molto bassa (≤2 nA a 2 V polarizzazione inversa)
• Molto alta resistenza di shunt per offset ridotti
• Conforme RoHS

Applicazioni

• Rilevamento della luce ambiente
• Luminanza e fotometria
• Monitoraggio di fiamme
• Fotodetenzione scientifica e industriale

Specifiche tecniche

• Area attiva = 5,16 mm²
• Corrente di cortocircuito = Min. 4 µA a 100 fc, 2850 K
• Corrente di buio = Max. 2 nA a 2 V polarizzazione inversa
• Capacitanza di giunzione = Tip. 1,0 nF a 0 V
• Gamma spettrale = 330 nm a 720 nm
• Risposta spettrale di picco = 580 nm
• Sensibilità a lunghezza d'onda di picco = Tip. 0,29 A/W
• Risposta angolare = ±50° al 50 % di risposta