Fotodiodo in silicio FFD-100H

PIN

Descrizione del prodotto
Il FFD-100H è un fotodiodo PIN al silicio ad ampia area con diametro attivo di 2,5 mm in un package TO-5 ermetico. Offre elevata responsività tra 400 e 1150 nm con picco intorno a 920 nm e tempi di salita/discesa ultraveloci di 1 ns. Il dispositivo presenta bassa corrente di buio, basso NEP e bassa tensione di funzionamento, adatto per il rilevamento ottico ad alta velocità in applicazioni industriali e di strumentazione.

Caratteristiche e vantaggi

• Fotodiodo PIN in silicio ad ampia area
• Package metallico TO-5 ermetico
• Diametro attivo: 2,5 mm
• Tempo di salita/discesa ultrarapido: 1 ns
• Chip fotodiodo isolato con bassa capacità

Applicazioni

• Sistemi di rilevamento e monitoraggio laser
• Controllo della potenza laser e interblocchi di sicurezza
• Rilevamento di impulsi veloci per ispezione dei semiconduttori
• Strumentazione e misura ad alta velocità
• Commutazione ottica ad alta velocità

Specifiche tecniche

• Tensione di breakdown: 150 V
• Capacitanza: 8,5 pF
• Corrente di buio: < 25 nA
• Corrente di rumore: < 90 fA/√Hz
• Package: TO-5 (ermetico)
• Diametro attivo: 2,5 mm
• Gamma spettrale: 400 nm – 1150 nm
• Responsività: 0,6 A/W (tip.)
• Picco di responsività (riepilogo): 920 nm; Lunghezza d'onda di picco (tabella spec.): 850 nm
• Tempo di salita/discesa: 1 ns
• Basso NEP e bassa tensione di funzionamento