Modulo fotodiodo a valanga (APD) C30659-1060E-R8BH

Panoramica del prodotto
Il C30659-1060E-R8BH è un ricevitore Avalanche Photodiode in silicio (Si APD) con preamplificatore ibrido integrato in un involucro TO-8 ermetico. Utilizza l'elemento APD C30954EH ottimizzato per 1060 nm con diametro attivo di 0,8 mm, offrendo rilevamento a basso rumore e un buffer di uscita a emitter follower per il condizionamento del segnale.

Prestazioni e dettagli di progettazione
Il modulo integra un front-end GaAs FET a rumore molto basso e una topologia di amplificatore invertente. Gli elementi APD della famiglia (C30954EH e altri) forniscono buona reattività nell'intervallo 400–1100 nm, con prestazioni riscontrate fino a 1550 nm per rilevatori correlati. Il preamplificatore è progettato per una transimpedenza superiore rispetto alla serie C30950, consentendo tempi di salita/discesa rapidi e funzionamento con banda passante di sistema fino a 200 MHz.

Specifiche

• Serie: C30659
• Codice prodotto: C30659-1060E-R8BH
• Elemento APD: C30954EH (APD in silicio), lunghezza d'onda ottimizzata 1060 nm
• Diametro attivo: 0,8 mm
• Banda passante del sistema: 200 MHz
• NEP: 55 fW/√Hz @ 900 nm; 100 fW/√Hz @ 1064 nm
• Risposta spettrale: 400–1100 nm (buona risposta 830–1550 nm per la famiglia)
• Preamplificatore: preamplificatore ibrido con front-end GaAs FET a rumore molto basso
• Topologia amplificatore: amplificatore invertente con buffer di uscita emitter follower
• Tensioni operative: ±5 V
• Capacità di carico in uscita: 50 Ω (AC accoppiato)
• Consumo tipico: 150 mW
• Involucro: TO-8 ermetico