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Tensione diretta: 350 V
Tensione inversa: 350 V
... RFN5BGE3S è un diodo a recupero rapido di tipo planare epitassiale al silicio. Bassa perdita di commutazione Elevata capacità di sovraccarico di corrente ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 600 V
Tensione inversa: 600 V
... RFN20TJ6SFHG è a bassa VF, bassa perdita di commutazione, adatto per il raddrizzamento generale Bassa tensione in avanti Bassa perdita di commutazione Elevata capacità di sovraccarico di corrente ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 400 V
Tensione inversa: 400 V
... RF201LAM4STF è il diodo a recupero rapido per autoveicoli ad alta affidabilità, adatto per il raddrizzamento generale. Bassa tensione in avanti Bassa perdita di commutazione Elevata capacità di sovraccarico di corrente ...
ROHM Semiconductor
... RF202LAM2S è un diodo a recupero rapido a bassa VF e bassa perdita di commutazione, adatto per il raddrizzamento generale. Bassa tensione in avanti Bassa perdita di commutazione Elevata capacità di sovraccarico di corrente ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 400 V
Tensione inversa: 400 V
... RF101LAM4STF è un diodo a recupero rapido per autoveicoli ad alta affidabilità, adatto per il raddrizzamento generale. Bassa tensione in avanti Bassa perdita di commutazione Elevata capacità di sovraccarico di corrente ...
ROHM Semiconductor
Tensione inversa: 10 kV - 300 kV
... Caratteristiche del prodotto 1. bassa perdita, bassa potenza, bassa potenza, alta capacità di sovratensione. 2. Tempo di risposta rapido ed efficiente. 3. Tj Gamma di temperatura del giunto operativo -40~+175 . 4. Protezione da valanghe invertite. 5. ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tensione inversa: 5 kV - 200 kV
... Caratteristiche del prodotto 1. bassa perdita, bassa potenza, bassa potenza, alta capacità di sovratensione. 2. Tempo di risposta rapido ed efficiente. 3. Tj Gamma di temperatura del giunto operativo -40~+175 . 4. Protezione da valanghe invertite. 5. ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tensione inversa: 2 kV - 50 kV
... Caratteristiche del prodotto 1. bassa perdita, bassa potenza, bassa potenza, alta capacità di sovratensione. 2. Tempo di risposta rapido ed efficiente. 3. Tj Gamma di temperatura del giunto operativo -40~+175 . 4. Protezione da valanghe invertite. 5. ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tensione diretta: 0,9 V
Tensione inversa: 300 V
... DESCRIZIONE GENERALE RFR60F30APN è un diodo di recupero ultraveloce, realizzato con tecnologia epitassiale planare avanzata al silicio. Il parametro di processo e la struttura del dispositivo sono ottimizzati con prestazioni ...
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