Modulo per diodo a giunzione p-n RFN5BGE3SSMDdi commutazionea recupero veloce
Aggiungi ai preferiti
Confronta con altri prodotti
Caratteristiche
- Tecnologia
- a giunzione p-n
- Montaggio
- SMD
- Funzione
- di commutazione
- Caratteristiche tecniche
- a recupero veloce, in silicio
- Tensione diretta
350 V
- Tensione inversa
350 V
Descrizione
RFN5BGE3S è un diodo a recupero rapido di tipo planare epitassiale al silicio.
Bassa perdita di commutazione
Elevata capacità di sovraccarico di corrente
---
Cataloghi
Short Form Catalog
308 Pagine
Ricerche correlate
- Commutatore unipolare
- Interruttore tecnologia
- Diodo
- Modulo per transistor
- Resistore su circuito stampato
- Resistore di potenza
- Diodo a grande velocità di commutazione
- Diodo per montaggio in superficie
- Modulo per transistor di commutazione
- Transistor ad effetto di campo
- Modulo per transistor MOSFET
- Resistore a film sottile
- Transistor bipolare
- Resistore a film spesso
- Convertitore di potenza
- Modulo per diodo
- Circuito integrato convertitore isolato
- Resistore di alta potenza
- Circuito integrato convertitore rapido
- Interruttore per automotive
* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.