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Caratteristiche
Tecnologia
a giunzione p-n
Montaggio
SMD
Funzione
di commutazione
Caratteristiche tecniche
a recupero veloce, in silicio
Tensione diretta
350 V
Tensione inversa
350 V
Descrizione
RFN5BGE3S è un diodo a recupero rapido di tipo planare epitassiale al silicio.
Bassa perdita di commutazione
Elevata capacità di sovraccarico di corrente
* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.