- Elettricità - Elettronica >
- Componente Elettronico >
- Transistor bipolare
Transistori bipolari
Raggiungi nuovi clienti 365 giorni all'anno su un'unica piattaforma
Diventa espositore
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Corrente: 25 mA
Tensione: 13 V
... CARATTERISTICHE - Alimentazione DC-DC isolata incorporata; Alimentazione singola topologia di azionamento dell'alimentazione - Alta tensione di isolamento di 3750VAC - Frequenza del segnale d'ingresso fino a 20kHz - Circuito di guasto ...
Corrente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensione: 4.500, 5.200 V
... press-pack e diodi bipolari a transistor bipolari a gate isolati ad alta potenza (IGBT) in un alloggiamento modulare avanzato che garantisce una pressione uniforme del chip in pile di ...
Tensione: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Progettati utilizzando la tecnologia proprietaria thin-wafer XPT™ e un processo IGBT all'avanguardia, questi dispositivi presentano qualità quali una ridotta resistenza termica, una bassa corrente di coda, una bassa perdita ...
Corrente: 600 A
Tensione: 1.200 V
... I moduli IGBT di Littelfuse offrono l'elevata efficienza e la velocità di commutazione della moderna tecnologia IGBT in un formato robusto e flessibile. Utilizzati per applicazioni di controllo dell'alimentazione, ...
... Toshiba offre un'ampia gamma di transistor bipolari adatti a varie applicazioni, tra cui dispositivi a radiofrequenza (RF) e di alimentazione. ...
Corrente: 28 A
Tensione: 650 V
... L'IGBT a commutazione forte TRENCHSTOP™ 5 S5 in un contenitore TO-220 a ingombro ridotto è destinato ad applicazioni che prevedono la commutazione tra 10 kHz e 40 kHz per offrire un'elevata densità di corrente, un'alta efficienza, cicli ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensione: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
I moduli di potenza IGBT di Hitachi Energy sono disponibili in versioni da 1.700 a 6.500 volt, come singolo IGBT, IGBT doppio/diramazione di fase (phase-leg), chopper e doppio diodo. I moduli HiPak IGBT ...
Corrente: 15 A
Tensione: 140 V
... Transistor di potenza bipolare NPN I modelli MJ15001 e MJ15002 sono transistor di potenza progettati per l'audio ad alta potenza, i posizionatori di testine di dischi e altre applicazioni ...
Fairchild Semiconductor
Corrente: 20 A
Tensione: 650 V
... Perdita di commutazione ridotta, per consentire una commutazione ad alta velocità . (pacchetto a 2 pin) Qualificato AEC-Q101 Tempo di recupero più breve Possibilità di commutazione ad alta velocità Ridotta dipendenza dalla temperatura ...
ROHM Semiconductor
... I moduli di potenza intelligente SLLIMM appartengono alla famiglia degli IPM che permettono la combinazione di chip al silicio ottimizzati e si integrano con 3 blocchi di inverter principali: stadio di potenza (IGBT robusti a corto circuito ...
STMicroelectronics
Tensione: 60 V
... DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE BCV47 è un transistor NPN Darlington in silicio NPN prodotto con il processo planare epitassiale, stampato epossidico in un pacchetto a montaggio superficiale, progettato per applicazioni ...
Central Semiconductor
Tensione: 0,24 V - 3,5 V
Corrente: 0,8 A
Tensione: 50 V
... Guadagno di corrente DC hFE Max.:400 Guadagno di corrente DC hFE Min.:160 Descrizione: TO-92, 50V, 0.8A, 0.8A, NPN transistor bipolare IC (A):0.8 PD (W): 0.625 Pacchetto: TO-92 Polarità:NPN Stato:Attivo TJ ...
SEMIKRON
Corrente: 10 A - 1.600 A
Tensione: 600 V - 1.700 V
... Greegoo offre moduli IGBT (insulated-gate bipolar transistor) in diverse topologie, correnti e tensioni nominali. Da 15A a 1600A in classi di tensione da 600V a 1700V, i moduli IGBT ...
Tensione: 20, 50 V
... MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto Bassa resistenza al fuoco Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione veloce Basse perdite di ingresso/uscita ...
Diodes Incorporated
Corrente: 25 mA
Tensione: 20 V
... Tensione emettitore collettore - Vceo 20 V Corrente di collettore CC - Ic - 25 mA Polarità - pol - NPN Dissipazione di potenza - Ptot - 0,200 W Temperatura di giunzione - Tjmax - 150 °C Guadagno di corrente CC - hfe - 85 - VcE - 10 V ...
Diotec
Corrente: 10, 25 A
Tensione: 1.200 V
... Caratteristiche Tecnologia IGBT -Trench + Filed Stop IGBT -Capacità di cortocircuito di 10ps -Versât) con coefficiente di temperatura positivo -Caso a bassa induttanza -Recupero inverso rapido e morbido ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Raggiungi nuovi clienti 365 giorni all'anno su un'unica piattaforma
Diventa espositoreChe cosa potremmo migliorare?
Ricevi ogni due settimane le novità di questa sezione
Per maggiori informazioni sul trattamento dei tuoi dati personali, consulta l’informativa sulla privacy di DirectIndustry.
- Tutti i marchi
- Area Produttori
- Area Visitatori
- I nostri servizi
- Iscriviti alla newsletter
- VirtualExpo: chi siamo
Si prega di specificare:
Aiutaci a migliorare:
caratteri restanti