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Tensione: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Progettati utilizzando la tecnologia proprietaria thin-wafer XPT™ e un processo IGBT all'avanguardia, questi dispositivi presentano qualità quali una ridotta resistenza termica, una bassa corrente di coda, una bassa perdita di energia ...
Corrente: 600 A
Tensione: 1.200 V
... I moduli IGBT di Littelfuse offrono l'elevata efficienza e la velocità di commutazione della moderna tecnologia IGBT in un formato robusto e flessibile. Utilizzati per applicazioni di controllo dell'alimentazione, Littelfuse ...
Corrente: 28 A
Tensione: 650 V
... L'IGBT a commutazione forte TRENCHSTOP™ 5 S5 in un contenitore TO-220 a ingombro ridotto è destinato ad applicazioni che prevedono la commutazione tra 10 kHz e 40 kHz per offrire un'elevata densità di corrente, un'alta efficienza, cicli più rapidi di ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 15 A
Tensione: 140 V
... Transistor di potenza bipolare NPN I modelli MJ15001 e MJ15002 sono transistor di potenza progettati per l'audio ad alta potenza, i posizionatori di testine di dischi e altre applicazioni lineari. Caratteristiche Area ...
Onsemi
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensione: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... I moduli di potenza IGBT di Hitachi Energy sono disponibili in versioni da 1.700 a 6.500 volt, come singolo IGBT, IGBT doppio/diramazione di fase (phase-leg), chopper e doppio diodo. I moduli HiPak IGBT ...
Corrente: 24 A
Tensione: 1.700 V
... Il dispositivo utilizza un collettore diffuso in tecnologia planare che adotta la "Enhanced High Voltage Structure" (EHVS1) sviluppata per i display CRT ad alta definizione. La nuova serie di prodotti HD presenta un'efficienza del silicio migliorata ...
STMicroelectronics
Corrente: 20 A
Tensione: 650 V
... Perdita di commutazione ridotta, per consentire una commutazione ad alta velocità . (pacchetto a 2 pin) Qualificato AEC-Q101 Tempo di recupero più breve Possibilità di commutazione ad alta velocità Ridotta dipendenza dalla temperatura ...
ROHM Semiconductor
SEMIKRON
... Zoccolo per dispositivi ad alta corrente Alta temperatura ℃ 5.passo di 45 mm Angolo retto Bassa emissione di gas Si tratta di uno zoccolo che può corrispondere alla disposizione di schede PC con limitazioni di altezza ruotando il dispositivo lateralmente. supporta ...
JC CHERRY INC.
Tensione: 60 V
... DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE BCV47 è un transistor NPN Darlington in silicio NPN prodotto con il processo planare epitassiale, stampato epossidico in un pacchetto a montaggio superficiale, progettato per applicazioni che richiedono ...
Central Semiconductor
Corrente: 0,8 A
Tensione: 50 V
... Guadagno di corrente DC hFE Max.:400 Guadagno di corrente DC hFE Min.:160 Descrizione: TO-92, 50V, 0.8A, 0.8A, NPN transistor bipolare IC (A):0.8 PD (W): 0.625 Pacchetto: TO-92 Polarità:NPN Stato:Attivo TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Tensione: 20, 50 V
... MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto Bassa resistenza al fuoco Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione veloce Basse perdite di ingresso/uscita Pacchetto ...
Diodes Incorporated
Corrente: 25 mA
Tensione: 20 V
... Tensione emettitore collettore - Vceo 20 V Corrente di collettore CC - Ic - 25 mA Polarità - pol - NPN Dissipazione di potenza - Ptot - 0,200 W Temperatura di giunzione - Tjmax - 150 °C Guadagno di corrente CC - hfe - 85 - VcE - 10 V - Ic - 7 mA Tensione ...
Diotec
Corrente: 150 A
Tensione: 600 V
... Interruttori -Mezzo ponte. I moduli IGBT sono alloggiati in un contenitore industriale standard che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti. I moduli IGBT (Insulated Gate Bipolar ...
Corrente: 10, 25 A
Tensione: 1.200 V
... Caratteristiche Tecnologia IGBT -Trench + Filed Stop IGBT -Capacità di cortocircuito di 10ps -Versât) con coefficiente di temperatura positivo -Caso a bassa induttanza -Recupero inverso rapido e morbido antiparallelo ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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