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Corrente: 28 A
Tensione: 650 V
... L'IGBT a commutazione forte TRENCHSTOP™ 5 S5 in un contenitore TO-220 a ingombro ridotto è destinato ad applicazioni che prevedono la commutazione tra 10 kHz e 40 kHz per offrire un'elevata densità di corrente, un'alta efficienza, cicli ...
Infineon Technologies AG
... Zoccolo per dispositivi ad alta corrente Alta temperatura ℃ 5.passo di 45 mm Angolo retto Bassa emissione di gas Si tratta di uno zoccolo che può corrispondere alla disposizione di schede PC con limitazioni di altezza ruotando il dispositivo ...
JC CHERRY INC.
... Zoccoli per CI di potenza Tipo standard Singolo in linea come ordinare ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Numero di posizioni da 2 a 16 Rigidità dielettrica - Resistenza di isolamento - - Temperatura di esercizio EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x ...
JC CHERRY INC.
... Zoccolo di medie dimensioni per circuito integrato di potenza Tipo a foro passante Stile doppio 2.passo di 54 mm / 0,100 come ordinare ex: PDSP-CM1-Dxx-GG x: Numero di posizioni 04,12,20 (numero pari) *Per quanto riguarda un ...
JC CHERRY INC.
Corrente: 20 A - 300 A
Tensione: 1.200, 650 V
... Applicazioni tipiche Frequenza di commutazione 80...100 kHz Inverter di frequenza Azionamenti per motori CA e CC Grado commerciale/industriale Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101 1) Suffisso -AQ: in qualifica AEC-Q101 1) Caratteristiche Tecnologia ...
Diotec
Corrente: 25 mA
Tensione: 20 V
... Tensione emettitore collettore - Vceo 20 V Corrente di collettore CC - Ic - 25 mA Polarità - pol - NPN Dissipazione di potenza - Ptot - 0,200 W Temperatura di giunzione - Tjmax - 150 °C Guadagno di corrente CC - hfe - 85 - VcE - 10 V ...
Diotec
Corrente: 200 mA
Tensione: 40 mV
... Applicazioni tipiche Elaborazione del segnale, Commutazione, amplificazione Grado commerciale l) Caratteristiche Uso generale Conforme a RoHS, REACH, Conflict Minerals *) ...
Diotec
Corrente: 0,8 A
Tensione: 50 V
... Guadagno di corrente DC hFE Max.:400 Guadagno di corrente DC hFE Min.:160 Descrizione: TO-92, 50V, 0.8A, 0.8A, NPN transistor bipolare IC (A):0.8 PD (W): 0.625 Pacchetto: TO-92 Polarità:NPN Stato:Attivo TJ ...
Corrente: 15 A
Tensione: 140 V
... Transistor di potenza bipolare NPN I modelli MJ15001 e MJ15002 sono transistor di potenza progettati per l'audio ad alta potenza, i posizionatori di testine di dischi e altre applicazioni ...
Fairchild Semiconductor
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensione: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
I moduli di potenza IGBT di Hitachi Energy sono disponibili in versioni da 1.700 a 6.500 volt, come singolo IGBT, IGBT doppio/diramazione di fase (phase-leg), chopper e doppio diodo. I moduli HiPak IGBT ...
Corrente: 8 A
Tensione: 1.700 V
... QC962-8A è un driver IGBT ibrido integrato. La sua funzione principale è quella di ricevere il segnale a onda quadra dal controllore e di convertirlo in un segnale gâte isolato e amplificato che controlla il ciclo di ...
MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,Ltd.
Corrente: 20 A
Tensione: 650 V
... Perdita di commutazione ridotta, per consentire una commutazione ad alta velocità . (pacchetto a 2 pin) Qualificato AEC-Q101 Tempo di recupero più breve Possibilità di commutazione ad alta velocità Ridotta dipendenza dalla temperatura ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 24 A
Tensione: 1.700 V
... Il dispositivo utilizza un collettore diffuso in tecnologia planare che adotta la "Enhanced High Voltage Structure" (EHVS1) sviluppata per i display CRT ad alta definizione. La nuova serie di prodotti HD presenta un'efficienza del silicio ...
STMicroelectronics
Corrente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensione: 4.500, 5.200 V
... press-pack e diodi bipolari a transistor bipolari a gate isolati ad alta potenza (IGBT) in un alloggiamento modulare avanzato che garantisce una pressione uniforme del chip in pile di ...
Tensione: 60 V
... DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE BCV47 è un transistor NPN Darlington in silicio NPN prodotto con il processo planare epitassiale, stampato epossidico in un pacchetto a montaggio superficiale, progettato per applicazioni ...
Central Semiconductor
SEMIKRON
Corrente: 150 A
Tensione: 600 V
... Interruttori -Mezzo ponte. I moduli IGBT sono alloggiati in un contenitore industriale standard che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti. I moduli IGBT (Insulated Gate ...
Tensione: 20, 50 V
... MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto Bassa resistenza al fuoco Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione veloce Basse perdite di ingresso/uscita ...
Diodes Incorporated
Corrente: 10, 25 A
Tensione: 1.200 V
... Caratteristiche Tecnologia IGBT -Trench + Filed Stop IGBT -Capacità di cortocircuito di 10ps -Versât) con coefficiente di temperatura positivo -Caso a bassa induttanza -Recupero inverso rapido e morbido ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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