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{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Corrente: 28 A
Tensione: 650 V
... L'IGBT a commutazione forte TRENCHSTOP™ 5 S5 in un contenitore TO-220 a ingombro ridotto è destinato ad applicazioni che prevedono la commutazione tra 10 kHz e 40 kHz per offrire un'elevata densità di corrente, un'alta ...
Infineon Technologies AG
... disposizione dei pin dello zoccolo, può essere utilizzato anche per la valutazione di semiconduttori di potenza come IPM e IGBT. Possibilità di effettuare misure Kelvin Possibilità di selezionare le specifiche di cablaggio Supporta ...
JC CHERRY INC.
... disposizione dei pin dello zoccolo, può essere utilizzato anche per la valutazione di semiconduttori di potenza come IPM e IGBT. Possibilità di effettuare misure Kelvin Possibilità di selezionare le specifiche di cablaggio Supporta ...
JC CHERRY INC.
... Zoccoli per transistor di potenza Punto Alta temperatura Basso degassamento Tipo multipolare Contatto rotondo ad alta affidabilità che offre buone prestazioni elettriche e meccaniche. Gli zoccoli di prova per transistor ...
JC CHERRY INC.
Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensione: 600 V
... La serie IGBT discreta BID di Bourns® combina la tecnologia di un gate MOS e di un transistor bipolare, creando il componente giusto per le applicazioni ad alta tensione e ad alta corrente. Questo dispositivo ...
Corrente: 100 mA
Tensione: 45, 30, 65 mV
... Applicazioni tipiche Elaborazione del segnale Commutazione Amplificazione Grado commerciale/industriale Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101 *) Suffisso -AQ: in qualifica AEC-Q101 *) Caratteristiche Uso generale Tre gruppi di guadagno ...
Corrente: 20 A - 300 A
Tensione: 1.200, 650 V
... Applicazioni tipiche Frequenza di commutazione 80...100 kHz Inverter di frequenza Azionamenti per motori CA e CC Grado commerciale/industriale Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101 1) Suffisso -AQ: in qualifica AEC-Q101 1) Caratteristiche Tecnologia ...
Corrente: 800 A
Tensione: 1.200 V
... NXH800H120L7QDSG è un modulo di potenza IGBT a mezzo ponte nominale. Gli IGBT Field Stop Trench 7 e i diodi Gen. 7 integrati consentono di ridurre le perdite di conduzione e di commutazione, permettendo ...
Fairchild Semiconductor
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensione: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
I moduli di potenza IGBT di Hitachi Energy sono disponibili in versioni da 1.700 a 6.500 volt, come singolo IGBT, IGBT doppio/diramazione di fase (phase-leg), chopper e doppio diodo. ...
Corrente: 8 A
Tensione: 1.700 V
... un driver IGBT ibrido integrato. La sua funzione principale è quella di ricevere il segnale a onda quadra dal controllore e di convertirlo in un segnale gâte isolato e amplificato che controlla il ciclo di accensione ...
MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,Ltd.
Corrente: 50 A
Tensione: 650 V
... La serie RGWxx65C è un IGBT da 650 V con un diodo di barriera schottky SiC incorporato, che riduce la perdita di commutazione all'accensione. Si tratta di un prodotto conforme alla normativa AEC-Q101. Può essere utilizzato ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 8 A
Tensione: 600 V
... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta di tensione inferiore ...
STMicroelectronics
Corrente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensione: 4.500, 5.200 V
... diodi bipolari a transistor bipolari a gate isolati ad alta potenza (IGBT) in un alloggiamento modulare avanzato che garantisce una pressione uniforme del chip in pile di dispositivi multipli. Sebbene ...
SEMIKRON
Corrente: 150 A
Tensione: 600 V
... Interruttori -Mezzo ponte. I moduli IGBT sono alloggiati in un contenitore industriale standard che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti. I moduli IGBT (Insulated Gate ...
Corrente: 10, 25 A
Tensione: 1.200 V
... Caratteristiche Tecnologia IGBT -Trench + Filed Stop IGBT -Capacità di cortocircuito di 10ps -Versât) con coefficiente di temperatura positivo -Caso a bassa induttanza -Recupero inverso rapido e morbido ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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