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Transistori IGBT
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Tensione: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Progettati utilizzando la tecnologia proprietaria thin-wafer XPT™ e un processo IGBT all'avanguardia, questi dispositivi presentano qualità quali una ridotta resistenza termica, una bassa corrente di coda, una bassa perdita di energia ...
Corrente: 600 A
Tensione: 1.200 V
... I moduli IGBT di Littelfuse offrono l'elevata efficienza e la velocità di commutazione della moderna tecnologia IGBT in un formato robusto e flessibile. Utilizzati per applicazioni di controllo dell'alimentazione, Littelfuse ...
Corrente: 28 A
Tensione: 650 V
... L' IGBT a commutazione forte TRENCHSTOP™ 5 S5 in un contenitore TO-220 a ingombro ridotto è destinato ad applicazioni che prevedono la commutazione tra 10 kHz e 40 kHz per offrire un'elevata densità di corrente, un'alta efficienza, cicli ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensione: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... I moduli di potenza IGBT di Hitachi Energy sono disponibili in versioni da 1.700 a 6.500 volt, come singolo IGBT, IGBT doppio/diramazione di fase (phase-leg), chopper e doppio diodo. I moduli HiPak IGBT ...
Corrente: 800 A
Tensione: 1.200 V
... NXH800H120L7QDSG è un modulo di potenza IGBT a mezzo ponte nominale. Gli IGBT Field Stop Trench 7 e i diodi Gen. 7 integrati consentono di ridurre le perdite di conduzione e di commutazione, permettendo ai progettisti ...
Onsemi
Corrente: 8 A
Tensione: 600 V
... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta di tensione inferiore (VCE(sat)) Diodo ...
STMicroelectronics
Corrente: 50 A
Tensione: 650 V
... La serie RGWxx65C è un IGBT da 650 V con un diodo di barriera schottky SiC incorporato, che riduce la perdita di commutazione all'accensione. Si tratta di un prodotto conforme alla normativa AEC-Q101. Può essere utilizzato con fiducia ...
ROHM Semiconductor
SEMIKRON
Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensione: 600 V
... La serie IGBT discreta BID di Bourns® combina la tecnologia di un gate MOS e di un transistor bipolare, creando il componente giusto per le applicazioni ad alta tensione e ad alta corrente. Questo dispositivo utilizza ...
... disposizione dei pin dello zoccolo, può essere utilizzato anche per la valutazione di semiconduttori di potenza come IPM e IGBT. Possibilità di effettuare misure Kelvin Possibilità di selezionare le specifiche di cablaggio Supporta ...
JC CHERRY INC.
Corrente: 100 mA
Tensione: 45, 30, 65 mV
... Applicazioni tipiche Elaborazione del segnale Commutazione Amplificazione Grado commerciale/industriale Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101 *) Suffisso -AQ: in qualifica AEC-Q101 *) Caratteristiche Uso generale Tre gruppi di guadagno di corrente Conforme ...
Diotec
Corrente: 150 A
Tensione: 600 V
... Interruttori -Mezzo ponte. I moduli IGBT sono alloggiati in un contenitore industriale standard che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti. I moduli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ...
Corrente: 10, 25 A
Tensione: 1.200 V
... Caratteristiche Tecnologia IGBT -Trench + Filed Stop IGBT -Capacità di cortocircuito di 10ps -Versât) con coefficiente di temperatura positivo -Caso a bassa induttanza -Recupero inverso rapido e morbido antiparallelo ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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