Transistori IGBT

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transistor IGBT
transistor IGBT
XPT™ series

Tensione: 1.700, 2.500, 4.500 V

... Progettati utilizzando la tecnologia proprietaria thin-wafer XPT™ e un processo IGBT all'avanguardia, questi dispositivi presentano qualità quali una ridotta resistenza termica, una bassa corrente di coda, una bassa perdita di energia ...

modulo per transistor IGBT
modulo per transistor IGBT
MG12600WB-BR2MM series

Corrente: 600 A
Tensione: 1.200 V

... I moduli IGBT di Littelfuse offrono l'elevata efficienza e la velocità di commutazione della moderna tecnologia IGBT in un formato robusto e flessibile. Utilizzati per applicazioni di controllo dell'alimentazione, Littelfuse ...

transistor IGBT
transistor IGBT
IKP28N65ES5

Corrente: 28 A
Tensione: 650 V

... L' IGBT a commutazione forte TRENCHSTOP™ 5 S5 in un contenitore TO-220 a ingombro ridotto è destinato ad applicazioni che prevedono la commutazione tra 10 kHz e 40 kHz per offrire un'elevata densità di corrente, un'alta efficienza, cicli ...

Altri prodotti
Infineon Technologies AG
transistor IGBT
transistor IGBT
5SN series

Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensione: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V

... I moduli di potenza IGBT di Hitachi Energy sono disponibili in versioni da 1.700 a 6.500 volt, come singolo IGBT, IGBT doppio/diramazione di fase (phase-leg), chopper e doppio diodo. I moduli HiPak IGBT ...

modulo per transistor IGBT
modulo per transistor IGBT
NXH800H120L7QDSG

Corrente: 800 A
Tensione: 1.200 V

... NXH800H120L7QDSG è un modulo di potenza IGBT a mezzo ponte nominale. Gli IGBT Field Stop Trench 7 e i diodi Gen. 7 integrati consentono di ridurre le perdite di conduzione e di commutazione, permettendo ai progettisti ...

Altri prodotti
Onsemi
transistor IGBT
transistor IGBT
STGB8NC60KDT4

Corrente: 8 A
Tensione: 600 V

... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta di tensione inferiore (VCE(sat)) Diodo ...

Altri prodotti
STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
RGW00TS65CHR

Corrente: 50 A
Tensione: 650 V

... La serie RGWxx65C è un IGBT da 650 V con un diodo di barriera schottky SiC incorporato, che riduce la perdita di commutazione all'accensione. Si tratta di un prodotto conforme alla normativa AEC-Q101. Può essere utilizzato con fiducia ...

Altri prodotti
ROHM Semiconductor
modulo per transistor IGBT
modulo per transistor IGBT
SKiiP 11NAB065V1

Altri prodotti
SEMIKRON
transistor transistor bipolare a gate isolato
transistor transistor bipolare a gate isolato
BID series

Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensione: 600 V

... La serie IGBT discreta BID di Bourns® combina la tecnologia di un gate MOS e di un transistor bipolare, creando il componente giusto per le applicazioni ad alta tensione e ad alta corrente. Questo dispositivo utilizza ...

transistor IGBT
transistor IGBT
PDSA-series

... disposizione dei pin dello zoccolo, può essere utilizzato anche per la valutazione di semiconduttori di potenza come IPM e IGBT. Possibilità di effettuare misure Kelvin Possibilità di selezionare le specifiche di cablaggio Supporta ...

Altri prodotti
JC CHERRY INC.
transistor IGBT
transistor IGBT
BC55 series

Corrente: 100 mA
Tensione: 45, 30, 65 mV

... Applicazioni tipiche Elaborazione del segnale Commutazione Amplificazione Grado commerciale/industriale Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101 *) Suffisso -AQ: in qualifica AEC-Q101 *) Caratteristiche Uso generale Tre gruppi di guadagno di corrente Conforme ...

Altri prodotti
Diotec
modulo per transistor IGBT
modulo per transistor IGBT
SKM145GB066D

Corrente: 150 A
Tensione: 600 V

... Interruttori -Mezzo ponte. I moduli IGBT sono alloggiati in un contenitore industriale standard che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti. I moduli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ...

modulo per transistor IGBT
modulo per transistor IGBT
RT25PI120B9H

Corrente: 10, 25 A
Tensione: 1.200 V

... Caratteristiche Tecnologia IGBT -Trench + Filed Stop IGBT -Capacità di cortocircuito di 10ps -Versât) con coefficiente di temperatura positivo -Caso a bassa induttanza -Recupero inverso rapido e morbido antiparallelo ...

Altri prodotti
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
transistor IGBT
transistor IGBT

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