Transistor IGBT STGB8NC60KDT4
di commutazione

Transistor IGBT - STGB8NC60KDT4 - STMicroelectronics - di commutazione
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Caratteristiche

Tipo
IGBT
Tecnologia
di commutazione
Corrente

8 A

Tensione

600 V

Descrizione

Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta di tensione inferiore (VCE(sat)) Diodo antiparallelo a recupero ultrarapido e molto morbido Rapporto CRES/CIES più basso (nessuna suscettibilità alla conduzione incrociata) Tempo di resistenza al corto circuito 10µs

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Fiere

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EMO 2025
EMO 2025

22-26 set 2025 Hannover (Germania)

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    SPS 2025
    SPS 2025

    25-27 nov 2025 Nürnberg (Germania) Hall 4 - Stand 271

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    * I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.