Transistor IGBT STGB8NC60KDT4
di commutazione

Transistor IGBT - STGB8NC60KDT4 - STMicroelectronics - di commutazione
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Caratteristiche

Tipo
IGBT
Tecnologia
di commutazione
Corrente

8 A

Tensione

600 V

Descrizione

Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta di tensione inferiore (VCE(sat)) Diodo antiparallelo a recupero ultrarapido e molto morbido Rapporto CRES/CIES più basso (nessuna suscettibilità alla conduzione incrociata) Tempo di resistenza al corto circuito 10µs

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