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Transistor IGBT STGW30NC60KDdi commutazione
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Caratteristiche
- Tipo
- IGBT
- Tecnologia
- di commutazione
- Corrente
30 A
- Tensione
600 V
Descrizione
Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state.
Tutte le caratteristiche
Bassa caduta di tensione di accensione (VCE(sat))
Tempo di resistenza al cortocircuito 10 μs
Basso rapporto Cres / Cies (nessuna suscettibilità alla conduzione incrociata)
IGBT coimballato con diodo a rotazione libera ultraveloce
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Cataloghi
STGW30NC60KD
14 Pagine
Fiere
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