Transistor IGBT RGA60TS65HR
transistor bipolare a gate isolatoIGBT in trinceafield stop IGBT

Transistor IGBT - RGA60TS65HR - ROHM Semiconductor - transistor bipolare a gate isolato / IGBT in trincea / field stop IGBT
Transistor IGBT - RGA60TS65HR - ROHM Semiconductor - transistor bipolare a gate isolato / IGBT in trincea / field stop IGBT
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Caratteristiche

Tipo
IGBT, transistor bipolare a gate isolato, IGBT in trincea, field stop IGBT
Tecnologia
di potenza, di commutazione
Altre caratteristiche
in silicio, per l'industria automobilistica
Corrente

34 A

Tensione

650 V

Descrizione

Panoramica
RGA60TS65HR è un IGBT di 4ª generazione 650V di tipo field-stop trench, ottimizzato per sistemi ausiliari automobilistici e inverter industriali. La struttura del dispositivo e la terminazione del bordo sono state riviste per aumentare la densità di corrente e ridurre le perdite di conduzione e commutazione, migliorando efficienza e affidabilità. Conforme allo standard AEC-Q101, garantisce una resistenza al cortocircuito di 7 μs a Tj = 25°C.

Riassunto del prodotto
IGBT a basse perdite di commutazione e di conduzione, indicato per compressori elettrici, riscaldatori HV e applicazioni inverter industriali, bilanciando basse perdite e alta tolleranza ai cortocircuiti.

Applicazioni
  • Compressori elettrici per autoveicoli
  • Riscaldatori HV per automotive (PTC, riscaldatori liquido di raffreddamento)
  • Inverter per macchine industriali


Caratteristiche
  • Qualificato AEC-Q101 (grado automotive)
  • Tempo di resistenza al cortocircuito (tsc): 7 μs
  • Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore (basso VCE(sat))
  • Ridotte perdite di commutazione e conduzione
  • Placcatura senza piombo; conforme RoHS


Specifiche
  • Numero di parte: RGA60TS65HRC11
  • Serie: A: For inverter (tsc 7-10 μs)
  • VCES (nominale): 650 V
  • IC (100°C): 34 A
  • VCE(sat) (Typ.): 1,55 V
  • tf (Typ.): 82 ns
  • tsc (Min.): 7 μs
  • Pd: 170 W
  • BV(CES) (Min.): 650 V
  • Temperatura di immagazzinamento: -55 °C a 175 °C
  • Package: TO-247N
  • Tipo di imballo: Tube
  • Quantità unitaria: 450
  • Quantità minima per confezione: 30
  • Dimensioni package: 21,0 x 16,0 mm (t = 5,2)
  • RoHS: Sì
  • Standard comune: AEC-Q101 (Automotive Grade)


Imballaggio
Package standard: TO-247N. Imballo: tubo, quantità standard 450 unità, quantità minima 30 unità. Consultare i disegni meccanici e di imballaggio per la gestione e la progettazione termica.

Contesto di sviluppo
Seppur gli inverter di trazione ad alta tensione adottino il SiC, gli IGBT a 650V rimangono ampiamente impiegati per sistemi ausiliari a bassa potenza. Questo prodotto nasce per rispondere alla richiesta di maggiore efficienza, dimensioni ridotte e migliore tolleranza ai cortocircuiti nelle applicazioni automotive e industriali.

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 nov 2026 Munich (Germania) Hall C3 - Stand 520

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    * I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.
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