Transistori

Corrente: -16,4 A
Tensione: -60 V

... MOSFET a canale P a livello normale e logico, che riducono la complessità di progettazione nelle applicazioni a media e bassa potenza I MOSFET OptiMOS™ a canale P da 60 V in contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia destinata alle applicazioni ...

Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensione: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V

... I moduli di potenza IGBT di Hitachi Energy sono disponibili in versioni da 1.700 a 6.500 volt, come singolo IGBT, IGBT doppio/diramazione di fase (phase-leg), chopper e doppio diodo. I moduli HiPak IGBT ...

Corrente: -0,5 A
Tensione: -50 V

... 50A02CH è un transistor bipolare a bassa VCE(sat), PNP singolo per applicazioni di amplificatori generici a bassa frequenza. Applicazioni Amplificatore a bassa frequenza Commutazione ad alta velocità Azionamento di piccoli motori Circuito ...

Corrente: 0,4 A - 45 A
Tensione: 36 V - 70 V

... La ST offre un'ampia gamma di interruttori low-side intelligenti (OMNIFET) a 3 e 5 pin di tipo automobilistico, basati sulla tecnologia VIPower (vertical intelligent power). Questa tecnologia proprietaria consente l'integrazione di circuiti di controllo ...

Tensione: 7,5 V

... Stadio di uscita per radio portatili in banda UHF Stadio di uscita per radio portatili 700-800 MHz Driver generico da 6 W per transistor dello stadio finale ISM e broadcast ...

Corrente: 95 A
Tensione: 40 V

... RH6G040BG è un MOSFET di potenza con bassa resistenza di accensione e pacchetto ad alta potenza, adatto alla commutazione. Bassa resistenza di accensione Pacchetto ad alta potenza con stampo piccolo (HSMT8) Placcatura senza Pb; conforme a RoHS Senza ...

Tensione: -400 V - 1.000 V

... Vishay è il primo produttore mondiale di MOSFET a bassa potenza. La linea di prodotti MOSFET di potenza Vishay Siliconix include dispositivi in più di 30 tipi di confezione, tra cui le famiglie MICRO FOOT® in scala di chip e PowerPAK® termicamente avanzate. ...

Tensione: 0,24 V - 3,5 V

Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensione: 600 V

... La serie IGBT discreta BID di Bourns® combina la tecnologia di un gate MOS e di un transistor bipolare, creando il componente giusto per le applicazioni ad alta tensione e ad alta corrente. Questo dispositivo utilizza ...

Tensione: 110, 265 V

... Descrizione TOPSwitch-HX incorpora un MOSFET di potenza 700 V, una sorgente di corrente commutata ad alta tensione, controllo PWM, oscillatore, circuito di spegnimento termico, protezione da guasti e altri circuiti di controllo su un dispositivo monolitico. Costi ...

Corrente: 0,8 A
Tensione: 50 V

... Guadagno di corrente DC hFE Max.:400 Guadagno di corrente DC hFE Min.:160 Descrizione: TO-92, 50V, 0.8A, 0.8A, NPN transistor bipolare IC (A):0.8 PD (W): 0.625 Pacchetto: TO-92 Polarità:NPN Stato:Attivo TJ Max. (°C):150 VCBO (V): 50 VCE ...

Tensione: 20, 50 V

... MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto Bassa resistenza al fuoco Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione veloce Basse perdite di ingresso/uscita Pacchetto ...

... Gli HEMT GaN, i FET GaAs, i MMIC e le soluzioni HEMT a basso rumore offrono prestazioni elevate e affidabilità senza compromessi per applicazioni radar, stazioni base, SATCOM, point to point e spaziali. ...

... Zoccoli per CI di potenza Tipo standard Singolo in linea come ordinare ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Numero di posizioni da 2 a 16 Rigidità dielettrica - Resistenza di isolamento - - Temperatura di esercizio EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x = Numero di pin (2-16) Personalizzando ...

Tensione: 45 V

... I tipi BCX51, BCX52 e BCX53 di CENTRAL SEMICONDUCTOR sono transistori al silicio PNP prodotti con processo planare epitassiale, stampati in resina epossidica in un contenitore a montaggio superficiale, progettati per applicazioni di amplificatori ...

Corrente: 25 mA
Tensione: 20 V

... Tensione emettitore collettore - Vceo 20 V Corrente di collettore CC - Ic - 25 mA Polarità - pol - NPN Dissipazione di potenza - Ptot - 0,200 W Temperatura di giunzione - Tjmax - 150 °C Guadagno di corrente CC - hfe - 85 - VcE - 10 V - Ic - 7 mA Tensione ...

Corrente: 2 A
Tensione: 36 V

... Con questo MOSFET è possibile controllare una tensione fino a 36 Volt. Con la modulazione dell'ampiezza degli impulsi, è possibile abbassare la tensione quadratica (ad esempio per attenuare una luce LED). COMPATIBILE CON Arduino, Raspberry Pi, ecc. TENSIONE ...

Corrente: 1 mA - 20 mA
Tensione: 2,7 V

Corrente: 150 A
Tensione: 600 V

... Interruttori -Mezzo ponte. I moduli IGBT sono alloggiati in un contenitore industriale standard che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti. I moduli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ...

... portafoglio di transistor RF bipolari al silicio e FET GaAs I transistor RF GaAs FET RF sono ideali per il primo o secondo stadio della stazione base LNA grazie all'eccellente combinazione di bassa figura di rumore e ...

Corrente: 10, 25 A
Tensione: 1.200 V

... Caratteristiche Tecnologia IGBT -Trench + Filed Stop IGBT -Capacità di cortocircuito di 10ps -Versât) con coefficiente di temperatura positivo -Caso a bassa induttanza -Recupero inverso rapido e morbido antiparallelo ...

Tensione: 8 V - 35 V

... Il modulo Bluetooth è un modulo di transizione della comunicazione dei dati tra il cellulare e il gruppo elettrogeno. È collegato al controllore del gruppo elettrogeno tramite RS485. Da APP mobile le informazioni del gruppo elettrogeno possono essere ...