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Corrente: -16,4 A
Tensione: -60 V
... MOSFET a canale P a livello normale e logico, che riducono la complessità di progettazione nelle applicazioni a media e bassa potenza I MOSFET OptiMOS™ a canale P da 60 V in contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia destinata ...
Infineon Technologies AG
Tensione: 7,5 V
... Stadio di uscita per radio portatili in banda UHF Stadio di uscita per radio portatili 700-800 MHz Driver generico da 6 W per transistor dello stadio finale ISM e broadcast ...
... Zoccoli per CI di potenza Tipo standard Singolo in linea come ordinare ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Numero di posizioni da 2 a 16 Rigidità dielettrica - Resistenza di isolamento - - Temperatura di esercizio EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x ...
JC CHERRY INC.
... Zoccolo di medie dimensioni per circuito integrato di potenza Tipo a foro passante Stile doppio 2.passo di 54 mm / 0,100 come ordinare ex: PDSP-CM1-Dxx-GG x: Numero di posizioni 04,12,20 (numero pari) *Per quanto riguarda un ...
JC CHERRY INC.
... Zoccoli per transistor di potenza Punto Alta temperatura Basso degassamento Tipo multipolare Contatto rotondo ad alta affidabilità che offre buone prestazioni elettriche e meccaniche. Gli zoccoli di prova per transistor ...
JC CHERRY INC.
Corrente: 20 A - 300 A
Tensione: 1.200, 650 V
... Applicazioni tipiche Frequenza di commutazione 80...100 kHz Inverter di frequenza Azionamenti per motori CA e CC Grado commerciale/industriale Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101 1) Suffisso -AQ: in qualifica AEC-Q101 1) Caratteristiche Tecnologia ...
Diotec
Corrente: 25 mA
Tensione: 20 V
... Tensione emettitore collettore - Vceo 20 V Corrente di collettore CC - Ic - 25 mA Polarità - pol - NPN Dissipazione di potenza - Ptot - 0,200 W Temperatura di giunzione - Tjmax - 150 °C Guadagno di corrente CC - hfe - 85 - VcE - 10 V ...
Diotec
Corrente: 200 mA
Tensione: 40 mV
... Applicazioni tipiche Elaborazione del segnale, Commutazione, amplificazione Grado commerciale l) Caratteristiche Uso generale Conforme a RoHS, REACH, Conflict Minerals *) ...
Diotec
Tensione: 110, 265 V
... Descrizione TOPSwitch-HX incorpora un MOSFET di potenza 700 V, una sorgente di corrente commutata ad alta tensione, controllo PWM, oscillatore, circuito di spegnimento termico, protezione da guasti e altri circuiti di controllo su un ...
Power Integrations
Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensione: 600 V
... La serie IGBT discreta BID di Bourns® combina la tecnologia di un gate MOS e di un transistor bipolare, creando il componente giusto per le applicazioni ad alta tensione e ad alta corrente. Questo dispositivo ...
Corrente: 0,8 A
Tensione: 50 V
... Guadagno di corrente DC hFE Max.:400 Guadagno di corrente DC hFE Min.:160 Descrizione: TO-92, 50V, 0.8A, 0.8A, NPN transistor bipolare IC (A):0.8 PD (W): 0.625 Pacchetto: TO-92 Polarità:NPN Stato:Attivo TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Corrente: 1 mA - 20 mA
Tensione: 2,7 V
Broadcom
Corrente: 800 A
Tensione: 1.200 V
... NXH800H120L7QDSG è un modulo di potenza IGBT a mezzo ponte nominale. Gli IGBT Field Stop Trench 7 e i diodi Gen. 7 integrati consentono di ridurre le perdite di conduzione e di commutazione, permettendo ...
Fairchild Semiconductor
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensione: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
I moduli di potenza IGBT di Hitachi Energy sono disponibili in versioni da 1.700 a 6.500 volt, come singolo IGBT, IGBT doppio/diramazione di fase (phase-leg), chopper e doppio diodo. I moduli HiPak IGBT ...
Corrente: 8 A
Tensione: 1.700 V
... QC962-8A è un driver IGBT ibrido integrato. La sua funzione principale è quella di ricevere il segnale a onda quadra dal controllore e di convertirlo in un segnale gâte isolato e amplificato che controlla il ciclo di ...
MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,Ltd.
Corrente: 95 A
Tensione: 40 V
... RH6G040BG è un MOSFET di potenza con bassa resistenza di accensione e pacchetto ad alta potenza, adatto alla commutazione. Bassa resistenza di accensione Pacchetto ad alta potenza con stampo piccolo (HSMT8) Placcatura senza Pb; conforme ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 0,4 A - 45 A
Tensione: 36 V - 70 V
... La ST offre un'ampia gamma di interruttori low-side intelligenti (OMNIFET) a 3 e 5 pin di tipo automobilistico, basati sulla tecnologia VIPower (vertical intelligent power). Questa tecnologia proprietaria consente l'integrazione di circuiti ...
STMicroelectronics
Corrente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensione: 4.500, 5.200 V
... diodi bipolari a transistor bipolari a gate isolati ad alta potenza (IGBT) in un alloggiamento modulare avanzato che garantisce una pressione uniforme del chip in pile di dispositivi multipli. Sebbene il pacchetto più ...
SEMIKRON
Tensione: -400 V - 1.000 V
... Vishay è il primo produttore mondiale di MOSFET a bassa potenza. La linea di prodotti MOSFET di potenza Vishay Siliconix include dispositivi in più di 30 tipi di confezione, tra cui le famiglie MICRO FOOT® in scala di chip e PowerPAK® ...
Tensione: 45 V
... DESCRIZIONE: I tipi di SEMICONDUTTORE CENTRALE BCX51, BCX52 e BCX53 sono transistor al silicio PNP prodotto con il processo planare epitassiale, stampato a resina epossidica in un pacchetto a montaggio superficiale, progettato ...
Central Semiconductor
Corrente: 2 A
Tensione: 36 V
... Con questo MOSFET è possibile controllare una tensione fino a 36 Volt. Con la modulazione dell'ampiezza degli impulsi, è possibile abbassare la tensione quadratica (ad esempio per attenuare una luce LED). COMPATIBILE CON Arduino, Raspberry ...
... Gli HEMT GaN, i FET GaAs, i MMIC e le soluzioni HEMT a basso rumore offrono prestazioni elevate e affidabilità senza compromessi per applicazioni radar, stazioni base, SATCOM, point to point e spaziali. ...
Corrente: 150 A
Tensione: 600 V
... Interruttori -Mezzo ponte. I moduli IGBT sono alloggiati in un contenitore industriale standard che facilita l'integrazione del dispositivo nelle apparecchiature esistenti. I moduli IGBT (Insulated Gate ...
... portafoglio di transistor RF bipolari al silicio e FET GaAs I transistor RF GaAs FET RF sono ideali per il primo o secondo stadio della stazione base LNA grazie all'eccellente combinazione di bassa figura ...
Tensione: 20, 50 V
... MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto Bassa resistenza al fuoco Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione veloce Basse perdite di ingresso/uscita ...
Diodes Incorporated
Corrente: 10, 25 A
Tensione: 1.200 V
... Caratteristiche Tecnologia IGBT -Trench + Filed Stop IGBT -Capacità di cortocircuito di 10ps -Versât) con coefficiente di temperatura positivo -Caso a bassa induttanza -Recupero inverso rapido e morbido ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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