Transistori

21 aziende | 131 prodotti
{{#pushedProductsPlacement4.length}} {{#each pushedProductsPlacement4}}
{{product.productLabel}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement4.length}}
{{#pushedProductsPlacement5.length}} {{#each pushedProductsPlacement5}}
{{product.productLabel}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement5.length}}
transistor IGBT
transistor IGBT
StakPak

Tensione: 4.500, 5.200 V
Corrente: 3.000, 1.300, 2.000 A

... diodi bipolari a transistor bipolari a gate isolati ad alta potenza (IGBT) in un alloggiamento modulare avanzato che garantisce una pressione uniforme del chip in pile di dispositivi multipli. Sebbene il pacchetto più ...

transistor IGBT
transistor IGBT

... Caratteristiche: Facilità di parallelismo grazie al coefficiente di temperatura positivo della tensione di accensione/spegnimento Il design robusto eXtreme-light Punch Through (XPT™) si traduce in un robusto eXtreme-light Punch Through ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET

... Caratteristiche Chip di silicio su Direct-Copper-Bond substrato - elevata dissipazione di potenza - superficie di montaggio isolata - Isolamento elettrico a 2500 V - bassa capacità di scarico verso la linguetta (< 40 pF) CoolMOS™ veloce ...

modulo per transistor IGBT
modulo per transistor IGBT
MG12600WB-BR2MM series

Tensione: 1.200 V
Corrente: 600 A

... I moduli IGBT Littelfuse offrono l'alta efficienza e la velocità di commutazione veloce della moderna tecnologia IGBT in un formato robusto e flessibile. Utilizzato per applicazioni di controllo della ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
HS8K11

Tensione: 30 V
Corrente: 0 A - 44 A

... HS8K11 è un MOSFET standard per applicazioni di commutazione Caratteristiche - Bassa resistenza. - Piombatura senza piombo Pb; conforme alla direttiva RoHS. - Senza alogeni. Specifiche Codice del pacchetto: HSML303030L10 Numero di terminale: ...

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ROHM Semiconductor
transistor bipolare
transistor bipolare

Tensione: 0 V - 120 V
Corrente: 0 A - 5 A

... Disponibile nella varietà di confezioni che hanno la natura come il piccolo segnale, sottile e ad alta potenza per coprire il mercato in modo estensivo. ...

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ROHM Semiconductor
transistor bipolare
transistor bipolare
DTA series

Tensione: 12, 50, 60 V
Corrente: 0,1, 0,5, 1 A

... I transistor digitali sono stati inventati da Rohm per la prima volta sul mercato, che è il transistor che combina resistenze integrate per comodità del circuito digitale. Questo segmento di prodotto ...

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ROHM Semiconductor
modulo per transistor di potenza
modulo per transistor di potenza
AFM906N

Tensione: 7,5 V

... Stadio di uscita Radio palmare in banda UHF Stadio di uscita per radio palmare 700-800 MHz Generico driver da 6 W per ISM e transistor per la fase finale di trasmissione ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPD900P06NM

... MOSFET a canale P a livello normale e logico, riducendo la complessità di progettazione in applicazioni a media e bassa potenza Descrizione OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in pacchetto DPAK rappresenta la nuova tecnologia mirata alla ...

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Infineon Technologies - Sensors
transistor bipolare
transistor bipolare

Tensione: 20 V
Corrente: 100, 82 A

Toshiba offre una vasta gamma di transistor bipolari per varie applicazioni, tra cui i dispositivi in radio-frequenza (RF) e di alimentazione. Un transistor IEGT (injection-enhanced gate transistor) ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
VND series

... La ST offre un'ampia gamma di interruttori low-side (OMNIFET) intelligenti a 3 e 5 pin per il settore automobilistico basati sulla tecnologia VIPower (vertical intelligent power). Questa tecnologia proprietaria permette l'integrazione ...

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STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
FG, ISL9 series

Tensione: 250, 500 V
Corrente: 10, 43 A

... FAIRCHILD presenta la sua nuova linea di accensione automotive con IGBT. È stato appositamente progettato per avere la più alta densità di energia del morsetto di tutti i dispositivi presenti sul mercato e bassa tensione di saturazione. ...

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Fairchild Semiconductor
modulo per transistor IGBT
modulo per transistor IGBT
QC962-8A

modulo per transistor IGBT
modulo per transistor IGBT
QP12W05S-37

transistor MOSFET
transistor MOSFET
700 V | TOPSwitch-HX

Tensione: 110, 265 V

... Descrizione TOPSwitch-HX incorpora un MOSFET di potenza 700 V, una sorgente di corrente commutata ad alta tensione, controllo PWM, oscillatore, circuito di spegnimento termico, protezione da guasti e altri circuiti di controllo su un ...

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Power Integrations
transistor bipolare
transistor bipolare
BCX51

Tensione: 45 V

... DESCRIZIONE: I tipi di SEMICONDUTTORE CENTRALE BCX51, BCX52 e BCX53 sono transistor al silicio PNP prodotto con il processo planare epitassiale, stampato a resina epossidica in un pacchetto a montaggio superficiale, progettato ...

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Central Semiconductor
transistor NPN
transistor NPN
CMKT3920

Tensione: 50 V

... DESCRIZIONE: Il Central Semiconductor CMKT3920 (due singoli transistor NPN) è una doppia combinazione in uno spazio pacchetto SOT-363 ULTRAmini™ a risparmio, progettato per piccoli amplificatori di segnale per uso generale ...

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Central Semiconductor
transistor bipolare
transistor bipolare
CMPT5086

Tensione: 50 V

... DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE CMPT5086, CMPT5086B e CMPT5087 sono transistor PNP al silicio prodotto con il processo epitassiale planare, epossidico modellato in un pacchetto di montaggio superficiale, progettato ...

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Central Semiconductor
transistor bipolare
transistor bipolare
BC337-25

Tensione: 50 V
Corrente: 0,8 A

... Guadagno di corrente DC hFE Max.:400 Guadagno di corrente DC hFE Min.:160 Descrizione: TO-92, 50V, 0.8A, 0.8A, NPN transistor bipolare IC (A):0.8 PD (W): 0.625 Pacchetto: TO-92 Polarità:NPN Stato:Attivo TJ Max. (°C):150 VCBO ...

transistor FET
transistor FET

... portafoglio di transistor RF bipolari al silicio e FET GaAs I transistor RF GaAs FET RF sono ideali per il primo o secondo stadio della stazione base LNA grazie all'eccellente combinazione di bassa figura ...

transistor bipolare
transistor bipolare
DMB series

Tensione: 20, 50 V

... MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto Bassa resistenza al fuoco Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione veloce Basse perdite di ingresso/uscita ...

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Diodes Incorporated
transistor NPN
transistor NPN

Corrente: 0 A - 10 A

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Renesas Electronics
modulo per transistor IGBT
modulo per transistor IGBT
SK 9 BGD 065 ET

... design AlloggiamentoSEMITOP 3 (55x31x12) (LLxBBBxHHHH)55x31x12 Pacchetto SwitchesSix VCES in V600 ICnom in A6 TecnologiaNPT IGBT (ultraveloce) ...

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SEMIKRON
transistor bipolare
transistor bipolare

Tensione: 0,24 V - 3,5 V

transistor MOSFET
transistor MOSFET

... Vishay è il primo produttore mondiale di MOSFET a bassa potenza. La linea di prodotti MOSFET di potenza Vishay Siliconix include dispositivi in più di 30 tipi di confezione, tra cui le famiglie MICRO FOOT® in scala di chip e PowerPAK® ...

modulo per transistor IGBT
modulo per transistor IGBT

Tensione: 1.200 V
Corrente: 10, 25 A

... Caratteristiche Tecnologia IGBT -Trench + Filed Stop IGBT -Capacità di cortocircuito di 10ps -Versât) con coefficiente di temperatura positivo -Caso a bassa induttanza -Recupero inverso rapido e morbido ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
transistor IGBT
transistor IGBT

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IXYS
transistor RF
transistor RF
AT-32011

Tensione: 2,7 V
Corrente: 1 mA - 20 mA

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Broadcom