- Elettricità - Elettronica
- Componente Elettronico
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Modulo per transistor IGBT RT25PI120B9Hdi potenza
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Caratteristiche
- Tipo
- IGBT
- Tecnologia
- di potenza
- Corrente
10 A, 25 A
- Tensione
1.200 V
Descrizione
Caratteristiche
Tecnologia IGBT -Trench + Filed Stop IGBT
-Capacità di cortocircuito di 10ps
-Versât) con coefficiente di temperatura positivo
-Caso a bassa induttanza
-Recupero inverso rapido e morbido antiparallelo FWD
-Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Applicazioni
-Invertitore per azionamento a motore
-Stato dell'aria
-Alimentazione elettrica ininterrottabile
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Cataloghi
RT25PI120B9H PIM module
11 Pagine
"RT25PI120B9H" IGBT Module
13 Pagine
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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