- Elettricità - Elettronica
- Componente Elettronico
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Modulo per transistor IGBT RTS40FB120T5HBdi potenza
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Caratteristiche
- Tipo
- IGBT
- Tecnologia
- di potenza
- Corrente
40 A
- Tensione
1.200 V
Descrizione
-Corto circuito nominale>10jjjjs
-Tensione a bassa saturazione: Vce (sat) = 2,15V @ lc = 40A , Tc=25'C
-Perdita di commutazione bassa
-100% RBSOA testato(2*lc>)
-Induttanza a bassa emissione di raggi ultravioletti
-Senza piombo, conforme ai requisiti RoHS
Applicazioni
-Inverter industriali
-Applicazioni dei servizi
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Cataloghi
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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