Modulo per transistor IGBT RT200TL65A8H-S09
di commutazione

modulo per transistor IGBT
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Caratteristiche

Tipo
IGBT
Tecnologia
di commutazione

Descrizione

Caratteristiche: - IGBT a gate di trincea con arresto di campo - Corto circuito nominale>10ps - - Bassa tensione di saturazione - Bassa perdita di commutazione - 100% RBSOA testato (2*lc) - Bassa induttanza di dispersione - Senza piombo, conforme ai requisiti RoHS - Soluzione di assemblaggio con pin di segnale PressFIT e terminali di alimentazione a vite Applicazioni: - - Azionamenti motore - - Applicazioni solari - - Sistemi UPS

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