- Elettricità - Elettronica
- Componente Elettronico
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Modulo per transistor IGBT RTK200HF120B
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Caratteristiche
- Tipo
- IGBT
- Corrente
200 A
- Tensione
1.200 V
Descrizione
Caratteristiche
-1200V200A,VCE(sat)(tip.)=2.1V
-Minori perdite e maggiore energia
-Eccellente resistenza al cortocircuito
-Modulo a mezzo ponte da 62 mm
Applicazioni generali:
Gli IGBT di Rongtech offrono perdite inferiori e maggiore energia per applicazioni come l'azionamento a motore .inverter e altre applicazioni di commutazione morbida.
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Cataloghi
RTK200HF120B
7 Pagine
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