Modulo per transistor IGBT RT50PI120T6H-M
di commutazione

Modulo per transistor IGBT - RT50PI120T6H-M - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - di commutazione
Modulo per transistor IGBT - RT50PI120T6H-M - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - di commutazione
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Caratteristiche

Tipo
IGBT
Tecnologia
di commutazione

Descrizione

Caratteristiche: - Arresto di campo Gâte Trench IGBT - Corto circuito nominale> 1Ops - Bassa tensione di saturazione - Bassa perdita di commutazione - Testato al 100% con RBSOA (2x|c) - Bassa induttanza di dispersione - Senza piombo. Conformi ai requisiti RoHS Applicazioni: - Inverter industriali - Applicazioni servo

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