- Elettricità - Elettronica
- Componente Elettronico
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Modulo per transistor IGBT RT75HF120T1VH-Mdi commutazione
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Caratteristiche
- Tipo
- IGBT
- Tecnologia
- di commutazione
Descrizione
Caratteristiche:
- Arresto di campo Gâte Trench IGBT
- Corto circuito nominale> 1Ops
- Bassa tensione di saturazione
- Bassa perdita di commutazione
- Testato al 100% RBSOA (2*lc)
- Bassa induttanza di dispersione
- Senza piombo, conforme ai requisiti RoHS
Applicazioni:
- Saldatrice " Tagliatrice
- Alimentazione per placcatura* Riscaldamento a induzione
- SMPS, UPS
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Cataloghi
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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