Transistor IGBT RGW25N135F1A
di potenza

transistor IGBT
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Caratteristiche

Tipo
IGBT
Tecnologia
di potenza
Corrente

25 A

Tensione

1.350 V

Descrizione

Gli IGBT a trincea con arresto di campo di Rongtech offrono basse perdite di commutazione, elevata efficienza energetica ed elevata resistenza alle valanghe per applicazioni di commutazione morbida come il riscaldamento induttivo, il forno a microonde, ecc. CARATTERISTICHE -Elevata tensione di breakdown a 1350 V per una maggiore affidabilità -Tecnologia Trench-Stop che offre: >Alta velocità di commutazione >Elevata robustezza, stabile in temperatura >Bassa VcEsat >Facilità di commutazione in parallelo grazie al coefficiente di temperatura positivo in VcEsat -Forme d'onda di spegnimento a corrente dolce -Capacità di valanga migliorata VCE:1350A IC:25A VCE(SAT) IC=25A: 2,0V Applicazione: * Cottura induttiva * Forni a microonde invertiti * Convertitori risonanti * Applicazioni di commutazione morbida * Applicazioni di commutazione morbida

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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.